沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整(zheng)流(liu)橋產(chan)品是由4顆肖特基硅(gui)二極管橋式連(lian)接,有(you)四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“正極”,兩只二(er)極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由四(si)只低壓降(jiang)整流(liu)硅芯片作橋式連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整(zheng)流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二(er)(er)極(ji)管整合一起,即將四(si)顆(ke)芯片(pian)封(feng)裝到(dao)一個支架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie)(jie),有四(si)個引出腳(jiao)(jiao)。兩(liang)只二(er)(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳(jiao)(jiao)是(shi)交(jiao)流(liu)輸(shu)入端(duan)(duan),外用絕緣塑料(liao)封(feng)裝而成。
一種集成采樣(yang)功能的(de)(de)整流(liu)橋(qiao),即(ji)通過采集電(dian)(dian)路中的(de)(de)輸入(ru)電(dian)(dian)流(liu),實現功率分配、電(dian)(dian)路保護。
開關橋是由(you)四(si)只高速開(kai)關二極管作(zuo)橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成(cheng)。
沃爾(er)德(de)高壓(ya)肖特基二極管具有(you)較低的VF值和極低的反(fan)向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出(chu)良好(hao)的低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全(quan)覆蓋(gai),能更好(hao)的滿足高(gao)(gao)壓(ya)輸(shu)出電源的高(gao)(gao)效(xiao)率、高(gao)(gao)可靠性的需求(qiu)。
沃(wo)爾德(de) LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工藝,具有較(jiao)低的VF值和(he)極低的高溫漏電流,能更好的滿足電源產品的(de)高效率(lv),高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復二(er)極管具有極低的反向恢復時(shi)間Trr和極低的反向(xiang)恢(hui)復(fu)電荷(he)Qrr,并具(ju)有超快的開(kai)關速度,應用于(yu)硬開(kai)關條件下的PFC電路和(he)高壓高頻(pin)電源的次級整流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度快等特點,能滿足產(chan)品溫升和(he)效率的要(yao)求(qiu)。
沃爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性(xing)能等特點(dian),能滿足產品高效和可靠的要(yao)求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)(neng)和抗(kang)短路性能(neng)(neng)等(deng)特點,能(neng)(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求。
沃爾(er)德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關速度快的特點,使(shi)電源更容(rong)(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具(ju)極(ji)小(xiao)的(de)反向(xiang)恢(hui)復(fu)時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸(xi)收(shou)二極(ji)管(guan)具有(you)較長的存儲時間(jian)和較小(xiao)的Irr,同時具有較(jiao)長(chang)的平緩反向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)(dian)流,應用于(yu)電(dian)(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使(shi)電(dian)(dian)源(yuan)產品達到更好的EMI特(te)性,滿(man)足電(dian)(dian)源(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性的需求。
通過(guo)優化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷(duan)時間)較軟(ruan)的(de)恢復特(te)性,大(da)幅減少諧(xie)波振蕩的(de)發生(sheng),從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或者(zhe)使(shi)用(yong)規格(ge),例如(ru)X電容,共(gong)模(mo)電感(gan),差(cha)模(mo)電感(gan)等。