可靠性實驗
01
高溫直流反向偏壓測試(High Temperature Reverse Bias Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
02
間歇壽命試驗測試(Intermittent Operational Life)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
03
工作壽命試驗測試(Continuous Operation Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
05
浪涌電流測試(Peak Forward Surge Current Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
06
高溫貯存試驗(High Temperature Storage Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
07
低溫貯存試驗(Low Temperature Storage Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
08
恒溫恒濕存儲試驗(Constant Temperature/Humidity Storage Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
09
溫度循環測試(Temperature Cycling Test)
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
10
耐焊接熱試驗/可焊性試驗(Solder Heat Resistance Test/ Solderability Test )
實驗時機(計劃) |
試驗周期(H) |
取樣數量(PCS) |
新品研發 |
1000 |
77*3(依據AEC-Q101) |
年度試驗 |
1000 |
77 |
新物料確認 |
168 |
77*3(依據AEC-Q101) |
月度可靠性監控 |
168 |
22 |
- 實驗類別:環境(溫度)電應力復合驗證
- 實驗目的:驗證產品在高溫狀態下芯片的反向工作能力
- 實驗參考標準: GB/T 4023、JESD22-A108
- 實驗條件: VR(VZ)=80%*VRMAX,TA=TJ±5℃
- 實驗設備:高溫反偏試驗系統
“智造”品質:質量作為競爭力的核心要素之一,應涵蓋從產品的生產研發、交付到后續相關服務的整個產品生命周期。