




充電器參數特寫
型號:ADP-96AW A
輸入:100-240V~50/60Hz 3A
輸出(chu):5V3A、9V3A、15V3A、20V4.8A
充電器通過了UL認證,以及VI級能效認證。























































整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整(zheng)流橋產品是由4顆肖特(te)基(ji)硅二極管橋式連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)負(fu)極的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓降整(zheng)流硅(gui)芯片作橋(qiao)式連接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全(quan)橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流(liu)橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由(you)四(si)顆(ke)快恢復二(er)極(ji)管(guan)(guan)整合一(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯片封裝到(dao)一(yi)個(ge)支架上作橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個(ge)引出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)管(guan)(guan)負極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是(shi)直流(liu)(liu)輸出端的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是(shi)直流(liu)(liu)輸出端的(de)(de)“負極(ji)”,另(ling)兩個(ge)引腳(jiao)是(shi)交(jiao)流(liu)(liu)輸入(ru)端,外(wai)用絕緣塑料封裝而成。
一種(zhong)集(ji)成采樣功(gong)(gong)能的(de)整(zheng)流(liu)橋,即通過采集(ji)電(dian)(dian)(dian)路中的(de)輸入(ru)電(dian)(dian)(dian)流(liu),實現(xian)功(gong)(gong)率分配、電(dian)(dian)(dian)路保護。
開(kai)關橋(qiao)是由四(si)只高速開(kai)關二極管作橋式連接(jie),有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用(yong)絕(jue)緣(yuan)塑封而(er)成。
沃爾德高(gao)壓肖(xiao)特基二極管具有較低的VF值(zhi)和(he)極低的反向(xiang)漏電流(liu)Ir,體現出良好(hao)的低溫升(sheng)特性。VRRM高達(da)350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的滿足高壓輸出電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特(te)基(ji)二極管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏電(dian)流,能(neng)更好的(de)滿足電源產品(pin)的高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復(fu)二極管具有極低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超快的開關速度,應用(yong)于硬開關條件下(xia)的PFC電路和(he)高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度快(kuai)等特點,能(neng)滿足產品溫升和(he)效(xiao)率的要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點(dian),能滿(man)足產品高效和可靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特(te)點,能滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延工藝(yi),具(ju)有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快(kuai)的特點,使電源更容易(yi)實現高(gao)效率(lv),高(gao)可靠(kao)性(xing)。
沃(wo)爾德碳化硅二(er)極(ji)管具(ju)極(ji)小的反向恢復時間、高浪(lang)涌電(dian)流(liu)、高效可靠的特性,封裝(zhuang)主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠(kao),封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同時具有較長的(de)平緩(huan)(huan)反(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)特性(xing),能平緩(huan)(huan)恢(hui)復(fu)電(dian)(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)(dian)(dian)路(lu),從(cong)而使電(dian)(dian)(dian)源產品達(da)到更好的(de)EMI特性(xing),滿(man)足電(dian)(dian)(dian)源產品高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷(duan)時間(jian))較軟的(de)恢復特性,大幅(fu)減(jian)少諧(xie)波振蕩的(de)發生,從而(er)減(jian)少或者減(jian)小橋堆(dui)周邊(bian)EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規(gui)格,例如X電容,共模電感,差模電感等(deng)。
充電器參數特寫
型號:ADP-96AW A
輸入:100-240V~50/60Hz 3A
輸出(chu):5V3A、9V3A、15V3A、20V4.8A
充電器通過了UL認證,以及VI級能效認證。