

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋(qiao)式連接(jie),有四個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的(de)(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料(liao)封(feng)裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四只低壓降整流硅(gui)芯片作橋式(shi)連接(jie),有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的(de)(de)連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接點是全(quan)橋直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑(su)封而(er)成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢復二極(ji)(ji)管整(zheng)合一起(qi),即將四(si)顆芯片(pian)封裝(zhuang)到一個支架上(shang)作橋(qiao)(qiao)式(shi)連(lian)接(jie),有(you)四(si)個引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出(chu)(chu)端(duan)(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直流輸出(chu)(chu)端(duan)(duan)的“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個引腳是(shi)交流輸入(ru)端(duan)(duan),外用(yong)絕(jue)緣塑料封裝(zhuang)而(er)成。
一種集成采(cai)樣功能的(de)整流橋,即通過采(cai)集電(dian)路中的(de)輸入電(dian)流,實現功率分配(pei)、電(dian)路保(bao)護。
開關橋是(shi)由四只高(gao)速開關(guan)二極管作橋式連接,有(you)四個引出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極管(guan)具有(you)較低的VF值和極低的(de)(de)反向漏電流Ir,體現出(chu)良好的(de)(de)低溫升特性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的(de)(de)滿(man)足高壓輸出電源(yuan)的高效率、高可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用(yong)先進的(de)Trench工藝,具有(you)較低的(de)VF值(zhi)和極低的(de)高(gao)溫漏電(dian)流,能更好的滿足電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極(ji)管具有極(ji)低(di)的反向恢(hui)復時間(jian)Trr和(he)極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具有超(chao)快(kuai)的(de)開(kai)關速度,應用(yong)于(yu)硬開(kai)關條件(jian)下的(de)PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次級整流電路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和(he)(he)Ciss ,并具有開關速度快等特點(dian),能(neng)滿(man)足(zu)產(chan)品溫升(sheng)和(he)(he)效率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能等特點,能滿足產品(pin)高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有強的EAS性(xing)能(neng)和抗短路性(xing)能(neng)等(deng)特(te)點,能(neng)滿足產品(pin)高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多(duo)層外延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開(kai)關速度快的(de)特(te)點,使電源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德碳化硅二極(ji)管(guan)具極(ji)小的(de)(de)反(fan)向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠(kao)的(de)(de)特(te)性,封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳(tan)化硅(gui)mos管(guan)具有低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
通(tong)過(guo)優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較(jiao)軟的(de)恢復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器件的(de)使用或者使用規格,例如X電容,共(gong)模電感(gan),差模電感(gan)等。