

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品(pin)是由4顆(ke)肖特基硅二(er)極管橋式連(lian)接,有四(si)個引出(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣朔料(liao)封裝(zhuang)而成(cheng)。
LOW VF整流橋產品(pin)是由四只低壓降(jiang)整流硅芯片作橋式連接,有四個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)(de)“正極”,兩(liang)只二極管(guan)正極的連(lian)接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的(de)整流橋。
逆變(bian)橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合(he)一(yi)起(qi),即將(jiang)四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝到一(yi)個支(zhi)架上作橋式連接(jie),有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)交流(liu)輸(shu)入端,外用絕(jue)緣塑(su)料封(feng)裝而成。
一種集成采(cai)樣(yang)功能的(de)整(zheng)流橋,即通過采(cai)集電路(lu)中的(de)輸入電流,實現功率分配、電路(lu)保護。
開(kai)關橋是由四(si)只(zhi)高速(su)開關二極管作橋式連(lian)接(jie),有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封而成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基(ji)二(er)極管具有(you)較低的VF值和極(ji)低的(de)反向漏電流Ir,體現(xian)出良好的(de)低溫升(sheng)特性。VRRM高達(da)350V,電流從(cong)5A到(dao)40A全(quan)覆蓋(gai),能更好的(de)滿足高(gao)壓(ya)輸出(chu)電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高溫(wen)漏電流,能更好的(de)滿足電(dian)源產品(pin)的高(gao)效(xiao)率,高(gao)可(ke)靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具有極低的反向恢復(fu)時(shi)間Trr和極(ji)低的反向(xiang)恢(hui)復電荷Qrr,并(bing)具有(you)超快的(de)(de)開關(guan)速(su)度,應用于(yu)硬開關(guan)條件下的(de)(de)PFC電(dian)路和(he)高壓(ya)高頻(pin)電(dian)源(yuan)的(de)次級整(zheng)流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度快等特(te)點,能滿足產品溫升和(he)效率(lv)的(de)要求(qiu)。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強(qiang)的(de)EAS性能等特點,能滿(man)足(zu)產(chan)品高效和(he)可靠的要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具有(you)強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特點,能滿(man)足產品高效和可靠的(de)要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外延工藝,具有低RDS(on)、結(jie)電容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關(guan)速度(du)快的特(te)點,使電源更容(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃爾德吸(xi)收(shou)二極(ji)管具有較長的存儲時間(jian)和較小的Irr,同(tong)時具(ju)有(you)較長的(de)(de)(de)平緩反(fan)向(xiang)恢復特性,能平緩恢復電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源的(de)(de)(de)RCD吸(xi)收電(dian)路(lu),從而使電(dian)源產(chan)品達到更好的(de)(de)(de)EMI特性,滿足電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性的(de)(de)(de)需(xu)求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟(ruan)的(de)恢(hui)復特(te)性,大幅減少(shao)諧波振蕩的(de)發(fa)生,從而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等(deng)。