

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特(te)基(ji)整流橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋式(shi)連接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩(liang)只(zhi)二極管正極的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣(yuan)朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由四只低(di)壓降(jiang)整流硅芯片作橋式連接,有四(si)個引(yin)出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直(zhi)流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆(ni)變橋(qiao)(qiao)是(shi)由四顆快恢(hui)復二(er)極(ji)管(guan)(guan)整合一起,即(ji)將四顆芯片封裝到一個支架上作橋(qiao)(qiao)式連(lian)接(jie),有四個引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)(guan)負極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)(guan)正極(ji)的(de)(de)連(lian)接(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳(jiao)是(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan),外(wai)用絕緣(yuan)塑(su)料封裝而成。
一(yi)種集(ji)成(cheng)采樣功能的整流橋,即通過采集(ji)電路中的輸入電流,實現功率(lv)分配、電路保護。
開關橋是由(you)四只(zhi)高速開關二(er)極(ji)管作橋(qiao)式連接,有(you)四個(ge)引出腳。兩(liang)只二(er)極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連接點(dian)是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成。
沃爾(er)德(de)高壓肖(xiao)特基二極管具有較低(di)的VF值和(he)極低(di)的反向漏(lou)電流(liu)Ir,體現出良好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進(jin)的(de)(de)Trench工藝,具有(you)較低(di)的(de)(de)VF值和極低(di)的(de)(de)高溫(wen)漏電(dian)流,能更好(hao)的滿(man)足電源產品的(de)高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性(xing)的(de)需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低的反(fan)向恢復(fu)電(dian)荷Qrr,并(bing)具有超快的(de)開(kai)(kai)關速(su)度,應用于(yu)硬(ying)開(kai)(kai)關條件下的(de)PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度(du)快等特點,能(neng)滿(man)足產品溫升和效率的要求(qiu)。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有(you)低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等特點(dian),能滿(man)足產品高效和可(ke)靠(kao)的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能(neng)(neng)和抗短路(lu)性能(neng)(neng)等特(te)點,能(neng)(neng)滿足產品高效和可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多(duo)層外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速(su)度(du)快(kuai)的(de)特點(dian),使電源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德(de)吸收二極(ji)管具(ju)有較長(chang)的(de)存儲時(shi)間和較小的(de)Irr,同時具有較長的平(ping)緩反向恢(hui)復(fu)特性(xing),能平(ping)緩恢(hui)復(fu)電(dian)流(liu),應用于(yu)電(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源(yuan)產品達(da)到更好(hao)的EMI特性(xing),滿足電(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠性(xing)的需求(qiu)。
通過(guo)優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時間)較軟的恢復(fu)特性,大(da)幅減少諧波振蕩(dang)的發(fa)生,從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格,例如X電容,共(gong)模電感,差模電感等(deng)。