

整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產(chan)品是由4顆肖(xiao)特基硅二(er)極管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩(liang)只二(er)極管正(zheng)極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋(qiao)產品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作橋式(shi)連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點是全(quan)橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢(hui)復(fu)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)整合(he)一起(qi),即將四(si)顆芯(xin)片封(feng)裝到一個(ge)支架上作橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)負(fu)極(ji)(ji)的連接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是(shi)直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是(shi)交流(liu)輸入端,外(wai)用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一種集成采樣功能的整(zheng)流橋,即通(tong)過采集電路(lu)中的輸(shu)入電流,實現功率分配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關二極管作橋式連接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封而成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低的反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現(xian)出(chu)良好的低溫升特(te)性。VRRM高(gao)達(da)350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足(zu)高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工藝(yi),具(ju)有較低的VF值和極低的高溫(wen)漏電流,能更好的滿足電(dian)源(yuan)產品(pin)的高(gao)效(xiao)率(lv),高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管具有極低的反向恢復(fu)時間(jian)Trr和極(ji)低(di)的(de)反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的開(kai)關速度,應(ying)用(yong)于硬開(kai)關條件下的PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源的(de)次級整(zheng)流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并(bing)具(ju)有開關速度快等特點,能滿(man)足產品溫升和效率的要(yao)求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有強的EAS性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿(man)足產品高效(xiao)和可靠(kao)的(de)要求(qiu)。
沃(wo)爾德Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能和(he)抗(kang)短路性能等特點,能滿足產品(pin)高(gao)效(xiao)和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結(jie)電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快的特點,使電(dian)源更(geng)容易實(shi)現高效率,高可靠性。
沃爾德碳化硅(gui)二極管具極小(xiao)的(de)反(fan)向恢復時間、高(gao)浪涌電(dian)流(liu)、高(gao)效可(ke)靠的(de)特性,封(feng)裝(zhuang)主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳(tan)化硅(gui)mos管(guan)具有低RDS(on)高(gao)開關速(su)度,高(gao)效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾(er)德吸收二極管(guan)具(ju)有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具有較長的(de)平(ping)緩(huan)反向(xiang)恢(hui)復特性,能平(ping)緩(huan)恢(hui)復電流,應用于電源的(de)RCD吸收(shou)電路,從而使電源產品(pin)達(da)到更好的(de)EMI特性,滿足電源產品(pin)高效(xiao)率、高可(ke)靠性的(de)需求。
通過優(you)化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的恢復(fu)特性,大幅減(jian)少諧波振蕩的發(fa)生,從而(er)減(jian)少或者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制器(qi)件的使用或(huo)者使用規格,例如X電容(rong),共模電感(gan)(gan),差模電感(gan)(gan)等(deng)。