產品
- 整流器件類
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性，大幅減少諧波振蕩的發生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
    查看更多
    
    普通橋
    
    產品概述
    
    整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當中的整流，是通過二極管的單向導通性來完成工作；簡單點說，二極管是單向的，它是正向導通和反向截止。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時，能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。
    
    查看更多
    
    肖特基橋
    
    產品概述
    
    肖特(te)基(ji)整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二極管(guan)橋式連(lian)接，有四個引出(chu)腳。兩只二(er)極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”，兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”，外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開關速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現與更好的效率提升。
    
    查看更多
    
    低壓降橋
    
    產品概述
    
    LOW VF整(zheng)流橋(qiao)產品是(shi)由四只低壓(ya)降整流硅芯(xin)片作(zuo)橋(qiao)式連接，有四個引(yin)出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“正極”，兩只二(er)極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極”，外用(yong)絕緣(yuan)塑封(feng)而(er)成。LOW VF即(ji)是正向壓降極(ji)低的整流橋。
    
    產品特點
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據熱量計算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發出的熱量越小，相對應的有功功率就越高；所以，同功率電路應用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
    查看更多
    
    逆變橋
    
    產品概述
    
    逆變(bian)橋是(shi)由四顆快恢(hui)復二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一起，即(ji)將四顆芯片封裝到(dao)一個(ge)支架上作橋式連接(jie)(jie)，有(you)四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)負(fu)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)(jie)點是(shi)直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”，兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)正極(ji)(ji)的(de)連接(jie)(jie)點是(shi)直流輸出(chu)端的(de)“負(fu)極(ji)(ji)”，另兩(liang)個(ge)引腳是(shi)交(jiao)流輸入端，外用絕(jue)緣塑(su)料封裝而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復時間為75ns，反向恢復時間較短, 雜散電容相對較小，所以對EMI 改善有優勢。
    
    查看更多
    
    采樣橋
    
    產品概述
    
    一(yi)種集成采樣功(gong)能(neng)的(de)整流橋，即通(tong)過采集電(dian)路(lu)中的(de)輸入(ru)電(dian)流，實(shi)現功(gong)率分配、電(dian)路(lu)保護。
    
    產品特點
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數，溫漂小，輸出功率相對穩定.精密電阻封裝到整流橋內部，可以利用散熱片對精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡化PCB裝配工序，降低裝配成本，性價比高；改善外置精密電阻安裝工藝復雜、批量生產時電阻值一致性不好、不良率高的問題，提升功率一致性、穩定性。大批量生產時一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線路板上跨接通過，主回路過長，導致干擾增加和采集精度偏差的問題
    
    查看更多
    
    開關橋
    
    產品概述
    
    開關橋(qiao)是由四只(zhi)高速(su)開關(guan)二極管(guan)作橋式連接，有四個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”，兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“負極(ji)”，外用絕緣塑(su)封而成。
    
    產品特點
    
    1
    
    開關橋
    
    開關橋有極低的正向壓降與極高的開關速度，利用其極低的損耗和極快的開關速度，在電網監測、智能電表、儀器儀表等行業廣泛應用。
    
    查看更多
  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進的封裝工藝，具有低正向壓降的特點。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
    
    高壓肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德高壓肖特基二(er)極管具有較(jiao)低的VF值和極低的(de)反(fan)向(xiang)漏電流Ir，體現出良好(hao)的(de)低溫升特性(xing)。VRRM高達(da)350V,電流從5A到40A全覆蓋，能(neng)更(geng)好(hao)的(de)滿足(zu)高壓輸(shu)出電源的高效率、高可(ke)靠性的需(xu)求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源的需求
    
    查看更多
    
    低壓降肖特基
    
    產品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管(guan)采用先進(jin)的(de)(de)Trench工藝，具有較低的(de)(de)VF值和極(ji)低的(de)(de)高(gao)溫漏電流，能更好的滿足電源(yuan)產品(pin)的(de)高(gao)效率，高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
  - 快恢復
    
    普通快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)快恢復二極管采用(yong)先(xian)進的(de)封裝(zhuang)工藝，電壓(ya)從100V到1700V，電流從1A到300A,反向(xiang)恢(hui)復時間從16ns到500ns ,適用(yong)于PFC電路，高(gao)頻高(gao)壓電源等(deng)。
    
    產品特點
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿足各類電源需求
    
    查看更多
    
    LOW Trr快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管具有極低的反(fan)向恢(hui)復(fu)時(shi)間Trr和極低(di)的反(fan)向恢復電荷Qrr，并具(ju)有超快的開(kai)關速度(du)，應(ying)用于硬開(kai)關條件下的PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源的次級(ji)整流電(dian)路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開關速度，減小開關損耗。
    
    查看更多
    
    LOW VF 快恢復
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾(er)德(de)LOW VF快(kuai)恢復二極管具有低(di)的VF值、低漏電流，應用(yong)于(yu)PFC電路(lu)、高頻高壓電路(lu)、次級整流電路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開關速度。
    
    查看更多
    
    共陰共陽快恢復
    
    產品概述
    
    沃爾德共陰共陽快恢復二極管(guan)具有一(yi)致性好，低VF值、低Trr、低漏電流(liu)的特性，應用于高(gao)頻橋式整流(liu)電路(lu)，正負壓輸出整流(liu)電路(lu)、高(gao)頻高(gao)壓大電流(liu)電路(lu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    VF值及反向恢復時間
    
    低VF值，低反向恢復時間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
    查看更多
  - 開關管
    
    全系列
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德開(kai)關(guan)二極管具有較(jiao)快的恢(hui)復時間(jian)和高(gao)開(kai)關(guan)速(su)度的特性，廣泛應用(yong)于電源、音頻(pin)、視頻(pin)、無線通信、工業等(deng)領域(yu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復時間）,開關速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
    查看更多
- 保護器件類
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產品概述
    
    瞬(shun)態抑制(zhi)二極管，TVS。全系列產品(pin)都有。
    
    產品特點
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯在電路中。自然界的感應雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現代電子系統面臨嚴峻的考驗。在電路中產生瞬態電壓時，TVS利用雪崩原理，以P秒級的反應速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護負載不被損壞。
    
    查看更多
  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產品概述
    
    抗靜電(dian)器件，ESD。針對主流競品，我司(si)均有可替代(dai)產品，ESD類我司(si)接受定制物料。
    
    產品特點
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內部芯片面積的減少，來獲得了體積小，電容值小（電容和體積是成正比），封裝方式多樣的特點。主要應用于一些小型號的便攜設備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對于ESD TVS 多路防護的產品，也叫陣列產品(IC)。
    
    查看更多
  - GDT
    
    GDT
    
    產品概述
    
    陶瓷(ci)氣體放電管，GDT。全系列產品都有，目前正在開發(fa)超薄(bo)型(xing)產品。
    
    產品特點
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內充低壓惰性氣體的短路型保護器件，一般分二電極和三電極兩種結構。基本的工作原理是氣體放電。當極間的電場強度超過氣體的擊穿強度時，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯的其它器件得到保護。
    
    查看更多
  - MOV
    
    MOV
    
    產品概述
    
    氧化鋅(xin)壓敏(min)電(dian)阻，MOV。我司(si)只(zhi)做貼片類產品SMD-MOV，以及復合功能型產品GMOV。
    
    產品特點
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻原件，所謂壓敏，就是對電壓敏感，當電壓達到一定數值的時候，元件開始動作。
    
    查看更多
  - TSS
    
    TSS
    
    產品概述
    
    半導體放電管(guan)，TSS。全系列(lie)產(chan)品都(dou)有(you)。
    
    產品特點
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個無門電極的自由電壓控制的可控硅,當電壓超過它的斷態峰值電壓(或稱雪崩電壓)時，半導體放電會將瞬態電壓箝制到組件的開關電壓(或稱轉折電壓)值之內。電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，只有在當電流小于維持電流時，組件才復位并恢復到它的高阻抗狀態。
    
    查看更多
- 功率器件類
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ，并具有開(kai)關速(su)度(du)快等(deng)特點，能滿足產品溫(wen)升(sheng)和效(xiao)率的(de)要求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開關速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
    
    Planar MOS
    
    產品概述
    
    沃爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能等(deng)特點，能滿足(zu)產品高效(xiao)和可靠的(de)要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
    
    Trench Mos
    
    產品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ，開(kai)關速度快并具有強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特點，能滿(man)足產品高(gao)效(xiao)和可(ke)靠的要求。
    
    產品特點
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
    
    SJ(超結)MOS
    
    產品概述
    
    沃爾德SJ（超結(jie)）MOS采用多層(ceng)外延工藝，具有(you)低RDS（on）、結電(dian)容(rong)小、Qg 小，易(yi)(yi)驅動、開關速(su)度(du)快的特點，使電(dian)源更容(rong)易(yi)(yi)實現高效率(lv)，高可靠(kao)性。
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細請看產品選型列表）
    
    2
    
    結電容
    
    結電容小、Qg小、易驅動
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿足各類電源需求
    
    查看更多
- 第三代半導體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產品概述
    
    沃(wo)爾德碳化(hua)硅二極管具極小的(de)反(fan)向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠的(de)特性，封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產品特點
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開關速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
    查看更多
    
    碳化硅MOS管
    
    產品概述
    
    沃爾德碳化硅mos管具有低RDS（on）高開關速度(du)，高效(xiao)可(ke)靠，封裝TOLL、TO-247等
    
    產品特點
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開關速度
    
    查看更多
- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產品概述
    
    沃爾德(de)吸收二(er)極管具有(you)較長的存(cun)儲時間和較小的Irr,同時具有較(jiao)長的平緩反向(xiang)恢(hui)復(fu)特性(xing)(xing)，能平緩恢(hui)復(fu)電(dian)流，應(ying)用于電(dian)源的RCD吸收電(dian)路，從而(er)使(shi)電(dian)源產(chan)(chan)品達到(dao)更好的EMI特性(xing)(xing)，滿足電(dian)源產(chan)(chan)品高效率、高可靠性(xing)(xing)的需求(qiu)。
    
    產品特點
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負載時，提升轉換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
    查看更多
  - 軟橋
    
    9K-1M傳導
    
    產品概述
    
    通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間(jian))較軟的(de)恢復特性，大幅減(jian)少(shao)(shao)諧波振蕩的(de)發生，從而減(jian)少(shao)(shao)或者減(jian)小(xiao)橋(qiao)堆周(zhou)邊(bian)EMI抑制器件的(de)使(shi)用或者使(shi)用規(gui)格(ge)，例如X電容，共模(mo)電感(gan)，差模(mo)電感(gan)等。
    
    產品特點
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導特性；降低AC輸入線雜散電感；通過橋堆中整流二極管較平滑的恢復特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
    查看更多
應用領域
技術創新
技術社區
質量和體系
關于沃爾德
聯系我們