沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品(pin)是由(you)4顆(ke)肖特基硅二極管橋(qiao)式連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是全橋直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“負(fu)極(ji)”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低壓降整流(liu)硅芯片作(zuo)橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極管負(fu)極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封(feng)而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)管(guan)整(zheng)合一(yi)起,即將四顆芯片封裝(zhuang)到(dao)一(yi)個支架上(shang)作橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點(dian)是直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連接點(dian)是直流輸出端的(de)“負極(ji)”,另兩個引(yin)腳是交流輸入端,外用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)(ji)成(cheng)采(cai)樣功(gong)能的整流橋,即(ji)通過采(cai)集(ji)(ji)電路中的輸入電流,實現功(gong)率分配、電路保護。
開(kai)關橋(qiao)是(shi)由四只(zhi)高速開關二極(ji)管作橋式連(lian)接(jie),有四個引出腳。兩只二(er)極管負極的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德(de)高(gao)壓(ya)肖特基二(er)極管具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低(di)的反(fan)向(xiang)漏電流Ir,體(ti)現出良好(hao)的低(di)溫升特(te)性。VRRM高(gao)達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好(hao)的滿足(zu)高壓(ya)輸出電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特(te)基二(er)極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和(he)極低(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿足電(dian)源產品的高效(xiao)率,高可靠性(xing)的需求(qiu)。
沃(wo)爾德LOW Trr超快(kuai)恢(hui)復二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢(hui)復時間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關(guan)速度,應用(yong)于硬開關(guan)條件下的PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)源的次(ci)級整流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等(deng)特點,能滿(man)足產品(pin)溫(wen)升(sheng)和效率(lv)的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能(neng)等特(te)點,能(neng)滿足產品高(gao)效和(he)可(ke)靠的要(yao)求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關速度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速(su)度快的特點(dian),使(shi)電源更(geng)容易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃(wo)爾德(de)吸(xi)收二極管具(ju)有(you)較(jiao)長的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有(you)較長的(de)平緩(huan)(huan)反向恢復(fu)特(te)性,能平緩(huan)(huan)恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路(lu),從而使電(dian)源(yuan)產品達到更好的(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)源(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性的(de)需(xu)求。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時間)較(jiao)軟的恢復特性,大幅減(jian)少(shao)(shao)諧波振蕩的發生,從而(er)減(jian)少(shao)(shao)或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊(bian)EMI抑(yi)制器(qi)件的使(shi)用或者使(shi)用規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。