沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特(te)基整(zheng)流橋產品是(shi)由(you)4顆肖特基硅(gui)二極(ji)管橋式連接,有四個引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二極管(guan)負極的(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只低(di)壓降(jiang)整流(liu)硅芯片作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降(jiang)極低的整(zheng)流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)整合一(yi)起,即將(jiang)四顆芯片封裝(zhuang)到一(yi)個支架上作橋(qiao)式連接(jie),有(you)四個引(yin)出腳。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點(dian)是(shi)直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是(shi)交流(liu)輸(shu)入端,外用絕緣(yuan)塑料封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采樣功能的整流橋,即通過采集(ji)電路中的輸入電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二(er)極管作橋式連接(jie),有四(si)個引(yin)出腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fu)極”,外用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。
沃爾德高(gao)壓(ya)肖特(te)基二極管(guan)具有較低(di)的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體現出良(liang)好的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的高(gao)(gao)效(xiao)率、高(gao)(gao)可靠性的需求。
沃爾(er)德(de) LOW VF肖特基二(er)極(ji)管采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值(zhi)和極(ji)低的高溫(wen)漏電流(liu),能更好的(de)滿足電源產品的高效(xiao)率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管(guan)具有極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并具(ju)有超(chao)快(kuai)的開關速度,應用于硬開關條件(jian)下(xia)的PFC電路(lu)和(he)高壓高頻電源的次(ci)級整(zheng)流(liu)電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開關速度快等特點,能滿足(zu)產品溫升和效(xiao)率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等(deng)特點,能(neng)滿足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快(kuai)并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特(te)點(dian),能滿足產品(pin)高效和(he)可靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多(duo)層外延工藝,具(ju)有(you)低(di)RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅動、開(kai)關(guan)速度快(kuai)的特點,使電(dian)源更容易實現高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收(shou)二(er)極(ji)管具(ju)有(you)較(jiao)長的存儲時間和較小的Irr,同時具有較長的(de)平緩(huan)反(fan)向恢復(fu)特(te)性,能平緩(huan)恢復(fu)電(dian)流,應用(yong)于電(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)路,從而使(shi)電(dian)源產品(pin)達到更好的(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品(pin)高效率、高可靠性的(de)需求。
通過(guo)優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較(jiao)軟(ruan)的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發(fa)生,從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器(qi)件的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電(dian)容(rong),共模電(dian)感,差模電(dian)感等(deng)。