沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產(chan)品(pin)是(shi)由4顆肖特基硅(gui)二極管(guan)橋式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“負極”,外用絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四(si)只(zhi)低壓降整流(liu)硅芯片作橋式連(lian)接,有四個引出(chu)腳。兩只二(er)極管負(fu)極的(de)連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外用絕(jue)緣塑(su)封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的(de)整流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢(hui)復(fu)二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管整合一(yi)(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯片(pian)封裝到一(yi)(yi)個支架上作橋式連接(jie),有四(si)個引(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的(de)(de)“正極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的(de)(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳(jiao)是(shi)交流輸入端(duan),外用絕緣(yuan)塑料封裝而成。
一(yi)種集成采樣功(gong)能的整流(liu)橋,即通過采集電路中的輸入電流(liu),實現功(gong)率分配、電路保護。
開(kai)關橋是由(you)四只高速開關(guan)二極管作橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全(quan)橋直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃爾德高壓(ya)肖特基二極(ji)管具有較低(di)的(de)VF值(zhi)和(he)極低的(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的(de)低溫(wen)升特性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高(gao)(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極管采用(yong)先(xian)進的Trench工(gong)藝(yi),具(ju)有(you)較低的VF值(zhi)和極低的高(gao)溫漏電流,能更好的滿足電源產(chan)品的(de)高效率(lv),高可(ke)靠性的(de)需求。
沃(wo)爾(er)德LOW Trr超快恢復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復(fu)時間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的(de)(de)開關速(su)度,應用于硬開關條(tiao)件下的(de)(de)PFC電(dian)路(lu)和高壓(ya)高頻電(dian)源的次(ci)級整流電(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿足產品溫(wen)升和效率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快(kuai)并具有強的EAS性(xing)能(neng)(neng)和抗短(duan)路性(xing)能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿(man)足產(chan)品高(gao)效和可靠(kao)的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延(yan)工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速(su)度(du)快的(de)特點,使電源更(geng)容(rong)易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德碳(tan)化硅二極(ji)管(guan)具(ju)極(ji)小的反向恢復時(shi)間、高浪涌電(dian)流、高效(xiao)可靠的特性(xing),封(feng)裝(zhuang)主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳(tan)化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高開關速度(du),高效可(ke)靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德(de)吸收二極(ji)管(guan)具有較長的存儲時間和較(jiao)小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反向恢復特性(xing),能(neng)平(ping)緩恢復電(dian)流,應(ying)用于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產(chan)品達到(dao)更好的EMI特性(xing),滿足電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性(xing)的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關(guan)斷時間)較軟的(de)恢復(fu)特(te)性,大幅減少諧(xie)波振(zhen)蕩(dang)的(de)發(fa)生,從而減少或者減小(xiao)橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用或者使(shi)用規格,例如X電容,共模電感(gan),差(cha)模電感(gan)等。