沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是(shi)全橋直流(liu)輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣朔料(liao)封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四只低壓降整(zheng)流硅(gui)芯片(pian)作(zuo)橋式(shi)連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋直流輸出端(duan)的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的(de)(de)連接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端(duan)的(de)(de)“負極”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成。LOW VF即(ji)是(shi)正向壓(ya)降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一(yi)起,即將四(si)顆(ke)芯(xin)片封裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支架上作橋式連接(jie),有四(si)個(ge)引出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)(shi)(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)(shi)(shi)直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個(ge)引腳(jiao)是(shi)(shi)(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan),外(wai)用絕緣(yuan)塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成采樣功能的整流橋,即通過采集電路中(zhong)的輸入電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極管作(zuo)橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德高壓肖特基(ji)二極管(guan)具有較低的VF值(zhi)和極低的(de)(de)反(fan)向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升(sheng)特性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的(de)(de)滿(man)足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極(ji)低(di)的高溫漏電(dian)流,能更好的滿足電源產(chan)品的高效率,高可靠(kao)性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超(chao)快恢(hui)復二極管具有極低的反向恢(hui)復時間Trr和極(ji)低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)條件(jian)下的PFC電路(lu)和高壓高頻電源的(de)次級(ji)整流電路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度(du)快等特點,能滿足產品(pin)溫升和效(xiao)率的(de)要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強(qiang)的EAS性能等(deng)特(te)點,能滿足產(chan)品高效(xiao)和可靠的(de)要求(qiu)。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快(kuai)并(bing)具(ju)有強的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝(yi),具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度快的特點,使電(dian)源更(geng)容(rong)易實現高效率,高可靠性。
沃爾德吸收二極(ji)管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時具有較長的平(ping)緩反向恢復特(te)性,能平(ping)緩恢復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品達到更好的EMI特(te)性,滿(man)足電(dian)源(yuan)(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時間)較軟的恢復特(te)性,大幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發生,從而(er)減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊(bian)EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如(ru)X電容,共(gong)模電感,差模電感等。