沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接(jie),有四個引(yin)出腳。兩只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的“負極”,外用絕緣朔料(liao)封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四(si)只低壓降整流硅芯片作(zuo)橋(qiao)式連接(jie),有(you)四(si)個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是(shi)全橋(qiao)直流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而(er)成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復二極(ji)管(guan)整合一起,即將四顆芯(xin)片封裝到一個(ge)支架上(shang)作(zuo)橋式連(lian)(lian)接,有(you)四個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)連(lian)(lian)接點是直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連(lian)(lian)接點是直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另兩個(ge)引腳是交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封裝而(er)成。
一種集成采樣功(gong)能的整流橋,即(ji)通過(guo)采集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功(gong)率分配、電(dian)路保護。
開關橋是(shi)由四只高速(su)開關二極管作橋式(shi)連接,有四個引(yin)出腳。兩只二極管(guan)負極的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接(jie)點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑(su)封(feng)而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極(ji)管(guan)具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出(chu)良好(hao)(hao)的(de)低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋(gai),能更好(hao)(hao)的(de)滿(man)足(zu)高壓輸出電(dian)源的高效率、高可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極低的(de)高溫漏(lou)電流,能更好的滿足(zu)電源(yuan)產(chan)品的(de)高效率,高可(ke)靠性(xing)的(de)需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反(fan)向恢復時間Trr和極低(di)的反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快(kuai)的(de)開關速度,應用于硬開關條件下的(de)PFC電路和高壓高頻電源的次級(ji)整流(liu)電路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有(you)極(ji)低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關(guan)速度快等特點,能滿足產品溫升和效率(lv)的(de)要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性(xing)能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足產品高效(xiao)和可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度(du)快并具有強的EAS性能和(he)抗短路(lu)性能等特點(dian),能滿足產品高效和(he)可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層(ceng)外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速(su)度快的特(te)點(dian),使電源更容易(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德碳(tan)化硅二極管具極小的反(fan)向恢復時(shi)間(jian)、高浪(lang)涌電流、高效可靠(kao)的特性,封裝(zhuang)主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高開(kai)關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管(guan)具有較長(chang)的(de)(de)存儲時間和較小的(de)(de)Irr,同時(shi)具(ju)有(you)較長的(de)(de)平緩反向恢(hui)復特性,能平緩恢(hui)復電(dian)流,應(ying)用于電(dian)源(yuan)的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品達到更好(hao)的(de)(de)EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產(chan)品高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)(de)需求。
通過優化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的恢復特性(xing),大幅減少諧波(bo)振蕩的發生,從而(er)減少或(huo)者減小橋堆周邊EMI抑(yi)制器(qi)件的(de)使用或者(zhe)使用規格,例(li)如X電容(rong),共模電感,差模電感等。