沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產(chan)品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接(jie)點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負極”,外用絕緣朔料封(feng)裝而(er)成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由四只低壓降整(zheng)流硅(gui)芯片作橋式連接,有四(si)個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是(shi)由四顆(ke)快恢復二極(ji)管整合一起,即將四顆(ke)芯(xin)片(pian)封裝到一個(ge)(ge)支架上(shang)作橋(qiao)式連接,有四個(ge)(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連接點是(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)(de)連接點是(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)(de)“負極(ji)”,另兩個(ge)(ge)引(yin)腳是(shi)交流輸入(ru)端(duan)(duan),外用絕緣(yuan)塑料(liao)封裝而成。
一種(zhong)集成采樣功能的整流橋,即通過采集電路(lu)中(zhong)的輸入電流,實現功率分配、電路(lu)保護。
開關(guan)橋(qiao)是由(you)四只高(gao)速(su)開關二極管(guan)作橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃(wo)爾(er)德高(gao)壓肖特(te)基二極管具(ju)有較低的VF值和極(ji)低的(de)(de)反向漏電流Ir,體現(xian)出良好的(de)(de)低溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的(de)(de)滿足高(gao)壓輸(shu)出(chu)電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先(xian)進的Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低的高溫漏電流(liu),能(neng)更好(hao)的滿足電源產品(pin)的(de)(de)高效率,高可(ke)靠性的(de)(de)需求。
沃(wo)爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復二極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向恢(hui)復時(shi)間(jian)Trr和極低的反(fan)向恢(hui)復電荷Qrr,并具(ju)有(you)超快的開關(guan)速度,應用于硬開關(guan)條件下(xia)的PFC電路(lu)和高(gao)(gao)壓高(gao)(gao)頻(pin)電源的次(ci)級整流電路(lu)。
沃(wo)爾(er)德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)(he)Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度快等(deng)特點,能滿足產品溫(wen)升和(he)(he)效率(lv)的要求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強的(de)EAS性能等(deng)特點(dian),能滿足產品高效和可靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有(you)強的EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等(deng)特點(dian),能滿足產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層(ceng)外(wai)延工藝,具有(you)低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使電源(yuan)更(geng)容易實(shi)現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃爾德碳化硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的(de)反(fan)向恢復時間、高(gao)(gao)浪涌電流、高(gao)(gao)效可(ke)靠(kao)的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳(tan)化硅mos管具有低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾(er)德吸收二極管具有(you)較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時(shi)具有較(jiao)長的平緩反向(xiang)恢復(fu)(fu)特性(xing),能平緩恢復(fu)(fu)電流,應用于電源(yuan)的RCD吸收電路,從(cong)而使電源(yuan)產(chan)品(pin)達到更好(hao)的EMI特性(xing),滿足(zu)電源(yuan)產(chan)品(pin)高效(xiao)率、高可(ke)靠性(xing)的需求。
通(tong)過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較軟的恢復特性,大(da)幅減少諧波振蕩(dang)的發(fa)生,從而減少或者(zhe)減小橋堆周邊EMI抑制(zhi)器件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。