沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式(shi)連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)(chu)端的“正(zheng)(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)(zheng)極的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端(duan)的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅芯(xin)片(pian)作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而(er)成。LOW VF即是正向壓降極(ji)低的整流橋。
逆變(bian)橋是由四(si)顆(ke)快恢(hui)復二極(ji)管整合一起,即將(jiang)四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝(zhuang)到(dao)一個(ge)支架上作(zuo)橋式連(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接(jie)點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接(jie)點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)”,另(ling)兩個(ge)引腳是交流(liu)輸(shu)入端,外用(yong)絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而(er)成。
一(yi)種(zhong)集成采樣功能的整流橋,即通過(guo)采集電(dian)路(lu)中的輸入電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋(qiao)是(shi)由(you)四只高(gao)速開關二極管作(zuo)橋式連(lian)接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成。
沃爾(er)德(de)高(gao)壓(ya)肖特(te)基(ji)二極管具有較低的VF值和極(ji)低的(de)反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良(liang)好的(de)低溫升特性。VRRM高(gao)達(da)350V,電(dian)流從(cong)5A到40A全(quan)覆蓋(gai),能(neng)更好的(de)滿足高壓(ya)輸(shu)出電(dian)源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采(cai)用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高(gao)溫漏電流,能更好的滿足電源產品的高效率,高可(ke)靠性(xing)的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢(hui)復二極(ji)管具有(you)極(ji)低(di)的反(fan)向恢(hui)復時間Trr和極低的反(fan)向恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關(guan)速度,應用于硬開關(guan)條件下的(de)PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路。
沃(wo)爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極低(di)(di)的RDs(on) 、低(di)(di)的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點(dian),能滿足產(chan)品溫升和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的(de)EAS性能等特(te)點(dian),能滿(man)足(zu)產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具(ju)有(you)強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特點,能滿足產品高效和可靠(kao)的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采(cai)用多層外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅(qu)動、開關(guan)速(su)度快的(de)特點,使電源更容易(yi)實現高效率,高可(ke)靠(kao)性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具極(ji)小的(de)反向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠的(de)特性,封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開(kai)關速度,高(gao)效可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管(guan)具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同時具有較(jiao)長(chang)的(de)平(ping)緩反向恢復特(te)性(xing),能平(ping)緩恢復電(dian)(dian)(dian)流(liu),應用于電(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)(dian)路,從而使(shi)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品達(da)到更好的(de)EMI特(te)性(xing),滿足電(dian)(dian)(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠性(xing)的(de)需求。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟(ruan)的恢復(fu)特性,大幅(fu)減(jian)少諧波振蕩的發(fa)生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小橋(qiao)堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規(gui)格,例(li)如X電容,共模電感,差模電感等。