沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外用絕(jue)緣朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由四只(zhi)低壓降整(zheng)流硅芯片(pian)作橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管(guan)正極的連接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的“負極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流(liu)橋。
逆變橋是由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復(fu)二極(ji)管整(zheng)合一(yi)起(qi),即將四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝到一(yi)個支架上作橋式(shi)連接(jie)(jie),有四(si)個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)(jie)點是直流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接(jie)(jie)點是直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引腳是交流輸入(ru)端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝而成。
一種集(ji)(ji)成采(cai)樣功能的整流橋,即(ji)通過采(cai)集(ji)(ji)電路中(zhong)的輸入(ru)電流,實現功率分配、電路保護。
開關橋是由(you)四只高速(su)開關(guan)二極管作橋(qiao)式連接(jie),有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二極管(guan)具有較低的(de)VF值和極低(di)(di)的反向(xiang)漏電(dian)流Ir,體現出良好的低(di)(di)溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能(neng)更好的滿足高(gao)壓輸出電(dian)源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖(xiao)特基二(er)極管采用先進(jin)的Trench工藝(yi),具有(you)較(jiao)低的VF值和極低的高溫(wen)漏電流,能更好(hao)的(de)滿足電源(yuan)產品(pin)的高效率,高可(ke)靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復(fu)二(er)極管具有極低的反向恢(hui)復(fu)時(shi)間(jian)Trr和(he)極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的(de)開關(guan)速度,應用于硬(ying)開關(guan)條件下的(de)PFC電(dian)路和(he)高壓高頻電(dian)源的次(ci)級整流電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并(bing)具(ju)有(you)開關(guan)速度快等特(te)點,能滿足(zu)產品溫升(sheng)和效率(lv)的(de)要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有(you)低的(de)RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速(su)度(du)快并具(ju)有強的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可靠(kao)的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延(yan)工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快的(de)特點(dian),使電源更容易實現高效(xiao)率,高可靠性(xing)。
沃爾德碳化(hua)硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的(de)反向恢(hui)復時(shi)間、高浪涌電流、高效可靠(kao)的(de)特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾(er)德(de)碳(tan)化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高開關速度,高效可靠,封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德(de)吸收二(er)極(ji)管具有較長的存儲時間和較小的Irr,同時(shi)具(ju)有(you)較(jiao)長的(de)(de)(de)平緩反向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)(dian)流,應用(yong)于電(dian)(dian)源的(de)(de)(de)RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產(chan)品達到更好的(de)(de)(de)EMI特(te)性,滿足電(dian)(dian)源產(chan)品高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性的(de)(de)(de)需求。
通過優化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟(ruan)的恢復特性(xing),大幅減(jian)少諧波振蕩(dang)的發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑(yi)制器件的使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。