沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整流(liu)橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極管(guan)負極的連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產(chan)品(pin)是由(you)四只低壓降整流(liu)硅芯(xin)片作橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即(ji)是正向壓降(jiang)極(ji)低的整流橋。
逆(ni)變橋是(shi)由四(si)顆(ke)快恢復二極(ji)(ji)管整合一起,即將四(si)顆(ke)芯片封裝(zhuang)到一個(ge)(ge)支(zhi)架上作橋式(shi)連接(jie)(jie),有四(si)個(ge)(ge)引出(chu)(chu)(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)(chu)(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)(jie)點(dian)是(shi)直流(liu)輸出(chu)(chu)(chu)端的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)(ge)引腳是(shi)交流(liu)輸入端,外(wai)用絕緣塑料(liao)封裝(zhuang)而成。
一種集成(cheng)采(cai)樣功能的整流橋,即(ji)通(tong)過采(cai)集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實現功率分(fen)配、電(dian)(dian)路(lu)保(bao)護。
開關橋(qiao)是由四(si)只高速開關二(er)極(ji)管作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二極管(guan)負極的連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管正(zheng)(zheng)極的連(lian)接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的“負(fu)極”,外(wai)用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極管具(ju)有(you)較低的(de)VF值和極(ji)低(di)的反向漏電流(liu)Ir,體現(xian)出良好的低(di)溫升特(te)性(xing)。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足高壓(ya)輸出(chu)電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極(ji)低的高(gao)溫(wen)漏電流(liu),能(neng)更好的(de)滿足電(dian)源產品的高效率,高可靠性的需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復二(er)極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復時(shi)間Trr和極低的(de)反向恢復電荷Qrr,并(bing)具(ju)有超(chao)快的開關速度,應用(yong)于硬開關條件下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電源的次級整流電路。
抗靜電器(qi)件,ESD。針(zhen)對主(zhu)流競(jing)品,我司(si)(si)均有可(ke)替代(dai)產品,ESD類我司(si)(si)接受定(ding)制(zhi)物(wu)料。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速(su)度快等特(te)點,能滿足產品溫(wen)升和效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快(kuai)并具有強的(de)EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等特點,能滿(man)足產品高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關速度(du)快的(de)特點,使電(dian)源(yuan)更容易實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德(de)吸(xi)收二極管(guan)具有(you)較長(chang)的存(cun)儲(chu)時間和較(jiao)小的Irr,同時具有較長(chang)的平緩(huan)反向恢復特(te)性,能平緩(huan)恢復電(dian)流(liu),應用于電(dian)源的RCD吸收(shou)電(dian)路,從而(er)使電(dian)源產品達到(dao)更好(hao)的EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性的需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振(zhen)蕩的發生(sheng),從而減少或者減小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用或(huo)者(zhe)使用規格,例如(ru)X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等(deng)。