沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整流橋(qiao)產(chan)品是由4顆肖特基硅二極管橋式(shi)連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“正極”,兩只二(er)極管正極的連接(jie)點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品(pin)是由四只低壓降(jiang)整流硅(gui)芯片作橋式連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即(ji)是正(zheng)向壓降(jiang)極低(di)的整流橋。
逆變橋是(shi)由四顆快恢復(fu)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將四顆芯片封裝到一個支架上(shang)作橋式(shi)連接,有(you)四個引出腳。兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)直流輸出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)直流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另(ling)兩個引腳是(shi)交流輸入端(duan),外用絕緣(yuan)塑料封裝而成。
一種(zhong)集成采(cai)樣功能的整流橋,即通過(guo)采(cai)集電(dian)路中(zhong)的輸入電(dian)流,實現功率分(fen)配、電(dian)路保護。
開關橋(qiao)是(shi)由(you)四只高速開關二極管作橋式連接,有四個引(yin)出腳(jiao)。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二極管具有較低的VF值和極低的(de)反(fan)向(xiang)漏電流Ir,體現出良好的(de)低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全覆蓋,能更(geng)好的(de)滿足高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性的需求(qiu)。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝(yi),具有較(jiao)低(di)的(de)VF值和(he)極低(di)的(de)高溫漏電(dian)流,能更好的滿(man)足電源產品(pin)的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復二極管具(ju)有(you)極低的反(fan)向恢(hui)復時間Trr和極低的反向(xiang)恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快的開(kai)(kai)關速度,應用于硬開(kai)(kai)關條件下的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電源(yuan)的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有極低(di)(di)的RDs(on) 、低(di)(di)的Qg和Ciss ,并(bing)具有開關速度快等特點,能滿(man)足(zu)產品溫升(sheng)和效率的要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并(bing)具有強(qiang)的(de)EAS性能和抗短路性能等特點,能滿足(zu)產品高效和可(ke)靠(kao)的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工藝,具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動(dong)、開關(guan)速度快(kuai)的(de)特點(dian),使電(dian)源更容(rong)易實現高效率,高可靠性。
沃(wo)爾德(de)碳化硅二極管具(ju)極小的反向(xiang)恢復(fu)時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠(kao)的特性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅(gui)mos管具有低(di)RDS(on)高開關(guan)速度,高效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收(shou)二極管(guan)具有較長(chang)的存儲時間和(he)較(jiao)小的Irr,同時具有較長(chang)的(de)平(ping)緩反向恢(hui)復(fu)特性(xing)(xing),能平(ping)緩恢(hui)復(fu)電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路(lu),從而使電(dian)(dian)源(yuan)產品達(da)到更好的(de)EMI特性(xing)(xing),滿足電(dian)(dian)源(yuan)產品高效率、高可靠性(xing)(xing)的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時間)較軟的恢(hui)復特性,大幅減少諧波(bo)振蕩的發生,從而減少或者減小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的(de)使用(yong)或者使用(yong)規(gui)格,例(li)如X電容,共模電感,差模電感等。