沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基(ji)整(zheng)流橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是(shi)全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低(di)壓降(jiang)整流(liu)硅芯片作(zuo)橋式連接,有四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸(shu)出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用(yong)絕(jue)緣塑(su)封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極(ji)低(di)的整流橋(qiao)。
逆(ni)變橋是由四(si)顆快恢復二極(ji)管整合一(yi)起,即將四(si)顆芯(xin)片封(feng)裝到一(yi)個(ge)支架(jia)上作橋式連(lian)接(jie),有(you)四(si)個(ge)引出(chu)(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是直流輸出(chu)(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是直流輸出(chu)(chu)端的“負極(ji)”,另(ling)兩個(ge)引腳是交流輸入端,外用絕緣塑料封(feng)裝而(er)成。
一種集成采樣功能的(de)整流橋,即通過采集電(dian)路(lu)中的(de)輸入電(dian)流,實現(xian)功率分(fen)配、電(dian)路(lu)保護。
開關橋是由四只高速(su)開關(guan)二極管作(zuo)橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)(de)“負(fu)極(ji)(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。
沃(wo)爾德(de)高壓肖特基(ji)二(er)極管具有較低(di)的VF值和極低的反向漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良好(hao)的低溫(wen)升特性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能(neng)更好(hao)的滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基(ji)二(er)極(ji)(ji)管采用(yong)先進的Trench工藝,具(ju)有較低的VF值和極(ji)(ji)低的高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電源(yuan)產(chan)品(pin)的高效率,高可靠性的需(xu)求(qiu)。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極(ji)管(guan)具(ju)有極(ji)低的反向恢(hui)復(fu)時(shi)間Trr和極低的(de)反向(xiang)恢(hui)復電荷Qrr,并具(ju)有超(chao)快的開(kai)關速度(du),應(ying)用于硬開(kai)關條件下的PFC電(dian)(dian)路和高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)(dian)源(yuan)的(de)次級整(zheng)流電(dian)(dian)路。
沃爾(er)德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點,能滿(man)足產(chan)品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產品高(gao)效和(he)可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗短路(lu)性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德(de)SJ(超結(jie))MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關(guan)速(su)度快(kuai)的特點(dian),使電(dian)(dian)源更容易實(shi)現高效率,高可靠性。
沃爾德碳化硅二(er)極(ji)管具極(ji)小的(de)反向(xiang)恢復時間(jian)、高浪涌電流、高效可靠的(de)特(te)性,封(feng)裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德碳(tan)化硅mos管具有低RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸(xi)收(shou)二極管具有較長的(de)存儲(chu)時間(jian)和較小的(de)Irr,同時具(ju)有較長的平緩反向恢(hui)復特性,能平緩恢(hui)復電(dian)(dian)流,應用(yong)于電(dian)(dian)源(yuan)的RCD吸(xi)收電(dian)(dian)路,從而(er)使電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)(pin)達到更好(hao)的EMI特性,滿足電(dian)(dian)源(yuan)產品(pin)(pin)高效率、高可靠性的需求。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的(de)恢復特性,大(da)幅減少(shao)諧波振蕩的(de)發(fa)生,從而減少(shao)或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或(huo)者使用(yong)規格,例(li)如(ru)X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。