沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產(chan)品(pin)是由4顆肖特基(ji)硅(gui)二極管橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“負(fu)極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是(shi)由(you)四(si)只低壓降整流硅芯片(pian)作橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩只二(er)極管負極的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是正向(xiang)壓降極低的整流橋。
逆(ni)變橋是由四顆(ke)快恢復二(er)極(ji)管整合(he)一(yi)起,即(ji)將四顆(ke)芯片封(feng)裝(zhuang)到(dao)一(yi)個支架上(shang)作(zuo)橋式連(lian)接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連(lian)接點是直流(liu)輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連(lian)接點是直流(liu)輸出(chu)端的(de)“負極(ji)”,另兩(liang)個引(yin)腳是交流(liu)輸入端,外用絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而(er)成。
一種集成采(cai)樣(yang)功(gong)(gong)能的整流(liu)橋,即通過采(cai)集電路中的輸入電流(liu),實現功(gong)(gong)率分配(pei)、電路保護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二(er)極管作橋式連接(jie),有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二(er)極管負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾德(de)高壓肖特基二極管具有(you)較低(di)的(de)VF值和極低的(de)反向(xiang)漏(lou)電(dian)流Ir,體現(xian)出(chu)良(liang)好的(de)低溫升特(te)性。VRRM高達(da)350V,電(dian)流從5A到40A全(quan)覆(fu)蓋,能更好的(de)滿足(zu)高壓輸出電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德(de) LOW VF肖(xiao)特基(ji)二極(ji)管采用先進的(de)(de)(de)Trench工藝,具有較低的(de)(de)(de)VF值(zhi)和極(ji)低的(de)(de)(de)高(gao)溫(wen)漏電(dian)流,能更好的(de)滿足電源產品的高效(xiao)率(lv),高可靠性的需(xu)求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復時間(jian)Trr和極低的反向恢復電荷(he)Qrr,并具(ju)有超(chao)快的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du),應用于硬開(kai)關(guan)條(tiao)件下(xia)的(de)PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源的(de)次級整流電路。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度快等(deng)特點,能(neng)滿足產品溫升和(he)效率的(de)要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具(ju)有強(qiang)的(de)EAS性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和可(ke)靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的EAS性(xing)(xing)能(neng)(neng)和抗短路(lu)性(xing)(xing)能(neng)(neng)等特點(dian),能(neng)(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾(er)德(de)SJ(超(chao)結)MOS采用多層(ceng)外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快的特點,使電源更容(rong)易實現高(gao)效率(lv),高(gao)可靠性。
沃爾德(de)碳化硅二極管具極小的(de)(de)反向恢復(fu)時間(jian)、高浪涌電流、高效可靠的(de)(de)特(te)性(xing),封裝主(zhu)要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高開關速(su)度,高效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管(guan)具(ju)有(you)較長的存儲時(shi)間(jian)和較小的Irr,同(tong)時具有較(jiao)長(chang)的(de)平緩(huan)反向恢(hui)復特性(xing),能(neng)平緩(huan)恢(hui)復電流,應用于電源(yuan)的(de)RCD吸收電路,從(cong)而使電源(yuan)產品達到更好(hao)的(de)EMI特性(xing),滿足電源(yuan)產品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
通過優(you)化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較軟(ruan)的(de)恢復特性,大幅減(jian)少諧波振蕩的(de)發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使(shi)(shi)用(yong)(yong)或(huo)者使(shi)(shi)用(yong)(yong)規格,例如X電容(rong),共模電感,差模電感等。