沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋(qiao)產品是由4顆(ke)肖特基硅(gui)二極管橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸出(chu)端(duan)的“負極”,外用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低(di)壓降整流硅芯(xin)片作橋式連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只二(er)極管(guan)負極的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降(jiang)極低的整流(liu)橋(qiao)。
逆變橋是由四(si)(si)顆(ke)快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)管整合(he)一起,即將四(si)(si)顆(ke)芯(xin)片封裝(zhuang)到一個(ge)支(zhi)架(jia)上作(zuo)橋式(shi)連接(jie),有四(si)(si)個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是交流(liu)輸(shu)入端,外(wai)用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集成(cheng)采樣功能的(de)整流橋,即通(tong)過采集電路(lu)中的(de)輸入電流,實現功率分配、電路(lu)保(bao)護。
開關(guan)橋是(shi)由四(si)只(zhi)高(gao)速開關(guan)二極管作橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有(you)較低(di)的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體(ti)現出良(liang)好的低(di)溫升(sheng)特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的滿(man)足(zu)高壓輸出電源的高效率、高可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃爾德(de) LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低的VF值(zhi)和極低的高溫漏電(dian)流,能(neng)更好的滿足電源產品的高(gao)效率(lv),高(gao)可靠性(xing)的需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極管具有極低的反向恢復(fu)時間(jian)Trr和極低(di)的反(fan)向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有(you)超快的開關速度,應用于硬開關條(tiao)件下的PFC電(dian)路和高壓(ya)高頻電(dian)源的次級整(zheng)流(liu)電(dian)路。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度快等特點,能滿(man)足產品溫升和效率的(de)要求。
沃(wo)爾(er)德(de)Planar MOS 具(ju)有(you)低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有(you)較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關(guan)速度快并具(ju)有強(qiang)的EAS性能(neng)和抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和可(ke)靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特點,使電(dian)源更容(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德碳化硅(gui)二極(ji)管具(ju)極(ji)小的(de)反向恢復時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化硅mos管(guan)具有(you)低RDS(on)高開關速度(du),高效可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德(de)吸收二(er)極管具有(you)較長(chang)的(de)存儲時間(jian)和較小的(de)Irr,同時(shi)具有較長的平緩反向恢(hui)復特性(xing),能平緩恢(hui)復電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收電(dian)路(lu),從而使電(dian)源產(chan)品達到更好的EMI特性(xing),滿足(zu)電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠(kao)性(xing)的需求。
通(tong)過優(you)化二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時(shi)間)較軟的(de)恢復(fu)特性,大幅減(jian)少諧波振蕩(dang)的(de)發生,從(cong)而減(jian)少或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用或(huo)者(zhe)使用規格,例如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。