沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整流橋產(chan)品是由4顆(ke)肖特基硅二極管(guan)橋式連接,有(you)四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整流橋產品是(shi)由四只低壓(ya)降整流硅芯片作橋式連接,有四個(ge)引出腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封而成。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋是由四顆快恢復二極管(guan)(guan)整(zheng)合一起,即將四顆芯片(pian)封裝到(dao)一個(ge)(ge)支(zhi)架(jia)上作橋式連接(jie),有(you)四個(ge)(ge)引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)(guan)負極的(de)連接(jie)點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只(zhi)二極管(guan)(guan)正(zheng)極的(de)連接(jie)點是直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極”,另兩(liang)個(ge)(ge)引(yin)腳是交流輸入端(duan),外用絕緣(yuan)塑(su)料(liao)封裝而成(cheng)。
一(yi)種集成(cheng)采(cai)(cai)樣功能的整流橋(qiao),即通過采(cai)(cai)集電路(lu)中(zhong)的輸入電流,實現功率分(fen)配、電路(lu)保護(hu)。
開關橋是由四只高速(su)開關(guan)二極管作橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連(lian)接點是全(quan)橋(qiao)直(zhi)流輸出(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而(er)成。
沃(wo)爾德高壓(ya)肖特(te)基二極管具(ju)有較低的(de)VF值和(he)極低的反(fan)向漏電流(liu)Ir,體現出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好的滿(man)足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管采(cai)用先進的Trench工藝(yi),具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低的高溫漏電流,能更好的滿足電源產品的(de)高效率,高可靠(kao)性(xing)的(de)需求。
沃爾(er)德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復二(er)極管具有極低的反向恢復時間Trr和極(ji)低的反向恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的(de)(de)開關(guan)速度,應用于硬開關(guan)條件下的(de)(de)PFC電路和高壓高頻(pin)電源的(de)次級(ji)整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極(ji)低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有開(kai)關(guan)速度快等(deng)特(te)點(dian),能(neng)滿足產(chan)品(pin)溫升和效率的(de)(de)要(yao)求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具(ju)有(you)強的EAS性能等特(te)點,能滿足產品高(gao)效(xiao)和可靠(kao)的(de)要求(qiu)。
沃爾(er)德(de)Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關(guan)速度快并具有強(qiang)的EAS性(xing)能(neng)和抗短(duan)路(lu)性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開關(guan)速度快的特點,使電源更容易實現(xian)高效率,高可靠(kao)性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的(de)反向(xiang)恢(hui)復時(shi)間、高(gao)浪涌電(dian)流、高(gao)效可靠的(de)特(te)性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管(guan)具有低RDS(on)高開關速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有較長(chang)的存儲(chu)時間和(he)較小的Irr,同時具有較(jiao)長的平(ping)緩(huan)反向恢復特性,能平(ping)緩(huan)恢復電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從(cong)而(er)使電(dian)源產品達到(dao)更好的EMI特性,滿足電(dian)源產品高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求(qiu)。
通過優化二極管Ta/Tb(開通(tong)時(shi)間(jian)/關斷(duan)時間)較軟的恢復特性,大幅減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或(huo)者減小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的使(shi)用或(huo)者使(shi)用規(gui)格,例如(ru)X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。