沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由(you)4顆肖特基硅二極管(guan)橋式連接(jie),有(you)四(si)個引出腳。兩只(zhi)二極管負極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣朔料封裝而成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流橋(qiao)產品是由四只(zhi)低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直流輸(shu)出端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變(bian)橋是由四顆快恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管整合一(yi)起(qi),即將四顆芯片封裝到一(yi)個支(zhi)架上作橋式(shi)連(lian)接(jie),有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是直流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接(jie)點是直流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩個引腳是交流輸(shu)入端,外用(yong)絕緣塑(su)料封裝而成(cheng)。
一種集成(cheng)采(cai)樣(yang)功能的整(zheng)流(liu)橋,即通過(guo)采(cai)集電(dian)路(lu)中的輸入電(dian)流(liu),實現功率分配、電(dian)路(lu)保(bao)護。
開關橋是由四只高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳。兩只(zhi)二極管負極的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)(zheng)極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基(ji)二極管(guan)具(ju)有較低(di)的VF值(zhi)和極低的反向(xiang)漏(lou)電(dian)流(liu)Ir,體現(xian)出良好的低溫(wen)升特性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流(liu)從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋,能更(geng)好的滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采(cai)用先進的Trench工藝(yi),具(ju)有(you)較低的VF值和極低的高溫漏電流(liu),能更好的滿足電(dian)源(yuan)產品的(de)高效率(lv),高可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極(ji)管具有(you)極(ji)低(di)的反(fan)向恢(hui)復(fu)時間Trr和(he)極低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)(kai)關速度(du),應(ying)用于硬開(kai)(kai)關條件下(xia)的PFC電路(lu)和高壓高頻電源的(de)次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和(he)Ciss ,并(bing)具(ju)有開(kai)關速(su)度快等特(te)點,能滿足產(chan)品溫(wen)升和(he)效(xiao)率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和(he)Ciss 并具(ju)有強的EAS性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的EAS性能和抗(kang)短(duan)路性能等(deng)特點,能滿足產(chan)品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延(yan)工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關速度快的特(te)點(dian),使電源更容(rong)易實現高效(xiao)率(lv),高可(ke)靠性。
沃(wo)爾德碳(tan)化(hua)硅(gui)二極(ji)管具極(ji)小的反向(xiang)恢(hui)復(fu)時間(jian)、高(gao)浪涌電流、高(gao)效(xiao)可靠的特性,封(feng)裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開(kai)關速度,高(gao)效可靠,封(feng)裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二極管具有較(jiao)長(chang)的存儲時間(jian)和較小的Irr,同(tong)時(shi)具(ju)有較長的(de)(de)平(ping)緩反向恢(hui)復(fu)(fu)特性(xing),能(neng)平(ping)緩恢(hui)復(fu)(fu)電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源的(de)(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路,從而(er)使電(dian)(dian)源產(chan)品達到更(geng)好的(de)(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源產(chan)品高效率、高可靠性(xing)的(de)(de)需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷時間)較軟的恢復(fu)特(te)性,大(da)幅(fu)減(jian)(jian)少諧波振蕩的發生(sheng),從而減(jian)(jian)少或者減(jian)(jian)小(xiao)橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例(li)如X電(dian)容(rong),共(gong)模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。