沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基(ji)整流橋產品是由4顆肖特基硅二極管橋(qiao)式連接(jie),有(you)四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端(duan)的“正極”,兩只二極管(guan)正極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極”,外用絕緣(yuan)朔(shuo)料封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由四只低(di)壓降整流硅芯片作橋(qiao)式(shi)連接,有四(si)個引出腳。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接(jie)點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成(cheng)。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整(zheng)流橋(qiao)。
逆變橋(qiao)是由四(si)顆(ke)(ke)快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)(ji)管整合一起,即將四(si)顆(ke)(ke)芯片封(feng)裝到一個(ge)支架上作橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)管負極(ji)(ji)(ji)的連接點是直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的連接點是直流(liu)(liu)輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是交流(liu)(liu)輸(shu)入端(duan),外(wai)用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而成(cheng)。
一(yi)種集成(cheng)采樣(yang)功(gong)能的(de)(de)整流橋,即通(tong)過采集電路(lu)中的(de)(de)輸(shu)入電流,實(shi)現功(gong)率分配(pei)、電路(lu)保護(hu)。
開關橋是由(you)四(si)只高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德高壓(ya)肖特基二極管具有較低的VF值和(he)極(ji)低(di)的(de)反向漏電(dian)流Ir,體現出良好的(de)低(di)溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋(gai),能更好的(de)滿足高(gao)(gao)壓輸出電(dian)源的(de)高(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工(gong)藝,具有較低(di)的VF值和極低(di)的高溫(wen)漏電流,能更好的滿足電源產品的高效率(lv),高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反向(xiang)恢復時(shi)間(jian)Trr和極低(di)的反(fan)向恢復電荷(he)Qrr,并具(ju)有超快(kuai)的開關(guan)(guan)速度,應(ying)用于硬開關(guan)(guan)條件下的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等(deng)特(te)點,能(neng)滿足產(chan)品溫升(sheng)和(he)效率(lv)的要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的(de)EAS性能(neng)等特(te)點(dian),能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾(er)德(de)Trench MOS 具(ju)有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足產品高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延(yan)工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開(kai)關速度(du)快的特點,使(shi)電源更容易(yi)實現高效率(lv),高可靠性(xing)。
沃(wo)爾德吸收二極管具(ju)有較長的存儲(chu)時間和較(jiao)小(xiao)的Irr,同時具有(you)較長的平(ping)緩反向恢復(fu)特(te)性(xing),能平(ping)緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)路(lu),從而使電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)達到(dao)更(geng)好(hao)的EMI特(te)性(xing),滿(man)足電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需(xu)求。
通(tong)過優化(hua)二極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的恢復特性,大(da)幅減(jian)少(shao)(shao)諧波振蕩的發生,從而減(jian)少(shao)(shao)或(huo)者減(jian)小(xiao)橋堆周邊EMI抑制(zhi)器件的(de)使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規格(ge),例如(ru)X電容(rong),共模電感(gan),差模電感(gan)等(deng)。