沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產(chan)品(pin)是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式(shi)連接,有(you)四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負(fu)極(ji)(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣朔料(liao)封(feng)裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四只低(di)壓降整流硅(gui)芯片作橋式連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二(er)極管負極的連接點是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣塑(su)封而(er)成。LOW VF即(ji)是正向壓降(jiang)極(ji)低的整流橋。
逆變(bian)橋(qiao)是(shi)由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復(fu)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管整(zheng)合一(yi)(yi)起,即(ji)將四(si)顆(ke)芯片封(feng)裝到一(yi)(yi)個(ge)支架上作橋(qiao)式(shi)連(lian)接,有(you)四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連(lian)接點是(shi)直流輸(shu)出(chu)端的(de)“負(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是(shi)交流輸(shu)入端,外用絕緣塑料(liao)封(feng)裝而(er)成。
一種(zhong)集(ji)成采(cai)樣功(gong)能的(de)整流橋,即通(tong)過采(cai)集(ji)電路(lu)中的(de)輸入電流,實現功(gong)率(lv)分配(pei)、電路(lu)保(bao)護。
開關橋是(shi)由四只高速開關二極管作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“正(zheng)(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管正(zheng)(zheng)極的(de)連(lian)接點是(shi)全橋直流(liu)輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)塑封而成。
沃(wo)爾(er)德高(gao)壓肖特基二極管(guan)具有較(jiao)低的VF值(zhi)和極低(di)的反向漏電(dian)流Ir,體現出良好的低(di)溫升特(te)性(xing)。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全覆蓋,能(neng)更好的滿足高(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用先進(jin)的(de)Trench工藝,具有(you)較低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏電流,能更好的滿(man)足電(dian)源產(chan)品的(de)高效率(lv),高可靠性的(de)需(xu)求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極管(guan)具有(you)極低(di)的(de)反向恢復時間Trr和極低的(de)反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關(guan)速度,應用于硬開關(guan)條件下的(de)PFC電(dian)(dian)路(lu)和高壓高頻(pin)電(dian)(dian)源的次級整流電(dian)(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)(you)開關速(su)度快等特點,能滿(man)足(zu)產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等(deng)特點(dian),能(neng)滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有(you)較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度(du)快并(bing)具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足產品高(gao)效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延(yan)工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度(du)快(kuai)的特點,使電源(yuan)更容(rong)易實(shi)現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾(er)德碳化硅二(er)極管具極小(xiao)的(de)反向恢復時間(jian)、高(gao)浪涌電(dian)流、高(gao)效(xiao)可靠的(de)特性(xing),封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高開關速度(du),高效(xiao)可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具有較(jiao)長的存儲時間和較小的Irr,同時具有較(jiao)長的(de)(de)平緩反向恢復特性(xing),能(neng)平緩恢復電(dian)流(liu),應用于電(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)路(lu),從而使電(dian)源產(chan)品達到更(geng)好(hao)的(de)(de)EMI特性(xing),滿足(zu)電(dian)源產(chan)品高效率、高可靠(kao)性(xing)的(de)(de)需求。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關斷(duan)時間)較軟(ruan)的(de)恢復特性,大幅減(jian)少(shao)諧波(bo)振蕩(dang)的(de)發生,從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小橋堆周邊EMI抑制(zhi)器件的(de)使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan)(gan),差(cha)模電(dian)感(gan)(gan)等(deng)。