沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由(you)4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接(jie),有四(si)個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的“負(fu)極(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整(zheng)流硅芯片作(zuo)橋(qiao)式(shi)連接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的(de)連接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極”,外(wai)用絕緣(yuan)塑封而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極(ji)低的整流橋(qiao)。
逆變(bian)橋是(shi)由(you)四(si)(si)顆快恢復二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將四(si)(si)顆芯片封裝到一個支架上作橋式連接,有四(si)(si)個引出腳(jiao)(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)出端的(de)“正極(ji)(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)輸(shu)出端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)個引腳(jiao)(jiao)是(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)入(ru)端,外(wai)用絕緣塑料封裝而(er)成。
一種集成采樣功能的(de)(de)整流橋,即(ji)通過采集電路中的(de)(de)輸入(ru)電流,實現功率(lv)分(fen)配、電路保護。
開關橋是由四只高速開(kai)關二極管(guan)作橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只(zhi)二(er)極管(guan)負極的連接點是全橋(qiao)直流(liu)輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德(de)高壓肖特(te)基二極(ji)管具有較低的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體現出良(liang)好的低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足高壓輸出電(dian)源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基(ji)二(er)極管采(cai)用(yong)先進(jin)的Trench工藝,具有較(jiao)低的VF值和極低的高溫漏電流,能(neng)更好的滿足電源(yuan)產(chan)品的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二(er)極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向(xiang)恢復時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并(bing)具有超快的開關速(su)度,應用于硬(ying)開關條件下的PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源的次級整(zheng)流電(dian)路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快(kuai)等特點,能滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低(di)的RDs(on)和(he)Ciss 并具有(you)強的EAS性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿足產品(pin)高效和可(ke)靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快并具有強的EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和(he)可靠(kao)的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多(duo)層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅動、開(kai)關速度快的特點,使電源更容(rong)易(yi)實現高效率,高可靠性。
沃爾(er)德碳(tan)化硅二極(ji)管具極(ji)小(xiao)的反(fan)向恢復時間(jian)、高浪(lang)涌電流(liu)、高效可靠的特性(xing),封裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開關速度(du),高(gao)效可(ke)靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二極管具有(you)較(jiao)長(chang)的存(cun)儲(chu)時(shi)間和較小的Irr,同時具(ju)有較長(chang)的平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收(shou)電(dian)路,從而使電(dian)源產(chan)品(pin)達到更好的EMI特性,滿(man)足電(dian)源產(chan)品(pin)高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠(kao)性的需求。
通過優化二(er)極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟的恢復(fu)特(te)性,大幅減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或者(zhe)減小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器(qi)件的使用或者使用規格(ge),例(li)如X電容,共模電感,差(cha)模電感等。