沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整(zheng)流橋(qiao)產品是由4顆肖特(te)基硅(gui)二(er)極(ji)管橋(qiao)式連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的(de)連接點(dian)是全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接點是全(quan)橋(qiao)直流輸(shu)出(chu)端的“負極”,外用絕緣朔(shuo)料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降(jiang)整流(liu)硅芯(xin)片(pian)作(zuo)橋式連(lian)接,有四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣(yuan)塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流(liu)橋。
逆(ni)變橋是(shi)(shi)由四顆快(kuai)恢復二極(ji)管整合一(yi)起,即(ji)將(jiang)四顆芯片封裝到(dao)一(yi)個支架上作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直(zhi)流(liu)輸出端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)(shi)直(zhi)流(liu)輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳是(shi)(shi)交流(liu)輸入端,外用絕緣塑料封裝而(er)成。
一種集成采樣功能的整流橋,即通過(guo)采集電路中的輸入電流,實現功率分配、電路保(bao)護(hu)。
開關(guan)橋是由四(si)只高(gao)速開關(guan)二(er)極管作橋式連接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接點是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接(jie)點是全(quan)橋直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)塑(su)封而成。
沃爾德(de)高(gao)壓肖特基二極管具有(you)較低的VF值和極低的反向漏電流Ir,體(ti)現出良好的低溫升(sheng)特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿(man)足高壓輸出電源(yuan)的高效率(lv)、高可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二(er)極管采用先進的Trench工藝,具有較低(di)的VF值和極低(di)的高溫漏電流,能更好的(de)滿足電源產品(pin)的高效率,高可靠性的需求(qiu)。
沃爾(er)德LOW Trr超快(kuai)恢復二極管具(ju)有極低的反向恢復時間Trr和極(ji)低的反向恢復電荷Qrr,并具有超(chao)快的(de)開關速度,應用于硬開關條件下(xia)的(de)PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源的(de)次級(ji)整流電(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極(ji)低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開關(guan)速(su)度快等特點,能(neng)滿足產品(pin)溫(wen)升和(he)效(xiao)率的(de)要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等特點(dian),能滿足產品高(gao)效和可靠(kao)的要求。
沃爾德Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性能(neng)和抗短路(lu)性能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足產(chan)品高效和可靠的要求。
沃爾(er)德SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開關速度(du)快(kuai)的特點,使電(dian)源更容(rong)易實(shi)現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時(shi)間/關斷時間)較軟的恢(hui)復特性,大幅減少諧波(bo)振蕩的發生(sheng),從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制(zhi)器件的(de)使用或者使用規格,例如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。