沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋產品是由4顆肖特基硅二極(ji)管(guan)橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而(er)成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋(qiao)產品(pin)是由四只低壓(ya)降整(zheng)流硅(gui)芯(xin)片作橋式(shi)連接,有(you)四個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點是(shi)全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的連(lian)接點是全橋(qiao)直(zhi)流(liu)輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低(di)的整流(liu)橋。
逆變(bian)橋是(shi)由(you)四(si)顆快恢復二極(ji)管整合一起,即將四(si)顆芯(xin)片封裝到一個(ge)支架上作橋式(shi)連(lian)接,有四(si)個(ge)引(yin)出腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連(lian)接點(dian)(dian)是(shi)直流(liu)輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點(dian)(dian)是(shi)直流(liu)輸出端(duan)的“負(fu)極(ji)”,另(ling)兩(liang)個(ge)引(yin)腳是(shi)交流(liu)輸入端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一種集成采樣功能的(de)整流(liu)橋,即通過采集電(dian)(dian)路中的(de)輸入電(dian)(dian)流(liu),實現功率(lv)分(fen)配、電(dian)(dian)路保護。
開(kai)關橋是由四只高速開關(guan)二極管作橋(qiao)式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成。
沃爾德高壓肖特基二極(ji)管具(ju)有(you)較低的VF值和(he)極(ji)低的反向漏(lou)電流(liu)Ir,體現出(chu)良好的低溫升特性。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足(zu)高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極(ji)管采用先進的(de)Trench工藝,具(ju)有(you)較低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏(lou)電流,能更好(hao)的滿足電源產品的(de)高(gao)(gao)效(xiao)率,高(gao)(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾(er)德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復二(er)極管具有(you)極低的反向(xiang)恢(hui)復時間Trr和極低的反向恢(hui)復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度,應用于硬開(kai)關(guan)條(tiao)件下(xia)的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電源的次級整(zheng)流電路(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有開關速度快等特點(dian),能滿足產(chan)品(pin)溫升和效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾(er)德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能(neng)和抗短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和可(ke)靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝,具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開(kai)關速度快的(de)特點,使(shi)電(dian)源更容(rong)易實現高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可(ke)靠性。
沃(wo)爾(er)德(de)碳化硅二極管具極小的(de)反向恢(hui)復時間、高浪涌電(dian)流、高效可靠的(de)特(te)性,封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃(wo)爾(er)德碳化硅mos管具(ju)有低RDS(on)高(gao)(gao)開(kai)關(guan)速度,高(gao)(gao)效可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸(xi)收(shou)二(er)極管(guan)具(ju)有較長的(de)存(cun)儲時間(jian)和較小(xiao)的(de)Irr,同時具有較長的(de)(de)平緩反向恢(hui)(hui)復(fu)特性,能平緩恢(hui)(hui)復(fu)電(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產(chan)品達到更好的(de)(de)EMI特性,滿足(zu)電(dian)(dian)源產(chan)品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的(de)(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通時間(jian)/關斷時(shi)間)較(jiao)軟(ruan)的恢復特(te)性,大(da)幅(fu)減(jian)少諧(xie)波(bo)振蕩的發生,從而減(jian)少或者減(jian)小(xiao)橋(qiao)堆(dui)周邊EMI抑制器件的(de)使用或者使用規格,例如X電(dian)容(rong),共模電(dian)感,差模電(dian)感等。