沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋產品是由4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕緣朔料封裝而(er)成(cheng)。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓降整流硅(gui)芯片作橋式連(lian)接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“正極”,兩(liang)只(zhi)二極管正極的連接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是(shi)正向(xiang)壓降(jiang)極低的(de)整流橋。
逆變(bian)橋(qiao)是(shi)由四顆快恢(hui)復二(er)極(ji)管(guan)整(zheng)合一(yi)(yi)起,即將(jiang)四顆芯片封裝到一(yi)(yi)個支架上作(zuo)橋(qiao)式連接(jie),有(you)四個引(yin)出腳(jiao)(jiao)。兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負極(ji)的連接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接(jie)點是(shi)直(zhi)流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)”,另兩(liang)(liang)個引(yin)腳(jiao)(jiao)是(shi)交流輸(shu)入端(duan),外(wai)用(yong)絕緣塑料封裝而(er)成。
一種集成采樣功能的整(zheng)流(liu)橋,即通過采集電路中(zhong)的輸入電流(liu),實現功率分配、電路保護。
開(kai)關橋是由四只(zhi)高速開關二極管作橋(qiao)式連接(jie),有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直流輸(shu)出(chu)端(duan)的“負(fu)極”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封而成(cheng)。
沃(wo)爾德高壓肖特基二極管具有(you)較(jiao)低(di)的VF值(zhi)和極低(di)的(de)反向(xiang)漏電(dian)流(liu)Ir,體現出良好的(de)低(di)溫(wen)升特性。VRRM高(gao)達350V,電(dian)流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的(de)滿足高壓輸出電源的(de)高效率、高可(ke)靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基(ji)二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低的(de)VF值和極低的(de)高(gao)溫漏電流,能更好(hao)的(de)滿足電源產(chan)品的高(gao)效率,高(gao)可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二(er)極管具有(you)極低(di)的反(fan)向恢復時(shi)間Trr和(he)極(ji)低的反向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并(bing)具(ju)有超快的開(kai)關速度,應用于硬開(kai)關條件下的PFC電(dian)路和(he)高(gao)壓(ya)高(gao)頻電(dian)源的次級整(zheng)流(liu)電(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)(ju)有(you)(you)極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)(ju)有(you)(you)開關(guan)速度快等(deng)特點,能滿(man)足產品(pin)溫(wen)升和效率的(de)要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足產(chan)品高效和可靠的(de)要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度(du)快并具有強的EAS性能和(he)抗短路性能等特點,能滿足產品高效和(he)可靠的要求(qiu)。
沃爾(er)德SJ(超(chao)結)MOS采用多層(ceng)外延工(gong)藝,具有(you)低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動(dong)、開關速度快的特點,使電(dian)源更容(rong)易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收(shou)二極(ji)管具有較(jiao)長的存儲時間和較小的Irr,同時具(ju)有較長(chang)的平(ping)緩反向恢復(fu)特(te)(te)性(xing),能(neng)平(ping)緩恢復(fu)電(dian)流(liu),應(ying)用于電(dian)源的RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使電(dian)源產品達到(dao)更好的EMI特(te)(te)性(xing),滿足(zu)電(dian)源產品高效(xiao)率、高可靠性(xing)的需(xu)求。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間(jian))較軟(ruan)的恢復特(te)性,大幅減少(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用(yong)或者使用(yong)規格,例如X電容,共(gong)模(mo)電感,差(cha)模(mo)電感等。