沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產品是(shi)由(you)4顆肖(xiao)特基硅二極管(guan)橋式連接,有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接(jie)點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的“負極”,外用絕(jue)緣朔料封裝而成。
LOW VF整流(liu)橋(qiao)產品是由四只(zhi)低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是由(you)四(si)顆快恢復二(er)極(ji)管整合一起(qi),即將四(si)顆芯片封(feng)裝(zhuang)到一個支架上(shang)作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是直流(liu)輸出端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)(de)連接點(dian)是直流(liu)輸出端(duan)的(de)(de)“負(fu)極(ji)”,另兩個引腳(jiao)是交流(liu)輸入端(duan),外用絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成。
一種集成采(cai)樣功(gong)能的(de)整流(liu)(liu)橋(qiao),即(ji)通過采(cai)集電(dian)路中的(de)輸入電(dian)流(liu)(liu),實現功(gong)率分配、電(dian)路保護。
開關橋是由四只(zhi)高(gao)速(su)開關(guan)二(er)極(ji)管作橋(qiao)式(shi)連接,有(you)四個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)負極的連(lian)接點是(shi)全橋直流輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的“負極”,外(wai)用絕(jue)緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低(di)的(de)反向漏電流(liu)Ir,體(ti)現出良好(hao)的(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的(de)滿足高(gao)壓輸出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二(er)極管(guan)采用先進的Trench工(gong)藝,具有較低的VF值(zhi)和極低的高溫(wen)漏電流(liu),能更好的滿足電源(yuan)產品的(de)高效率,高可(ke)靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管(guan)具有極低的(de)反向恢復時間Trr和極低的反向恢復電(dian)荷Qrr,并具有超快的(de)開關速度,應用于硬開關條件(jian)下的(de)PFC電(dian)路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電(dian)源(yuan)的(de)次級(ji)整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關(guan)速度快等(deng)特點,能滿足產品(pin)溫升(sheng)和效率的要求。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并(bing)具有強(qiang)的EAS性(xing)能和(he)抗短路性(xing)能等特(te)點,能滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃(wo)爾德SJ(超(chao)結(jie))MOS采用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開(kai)關速度快的特點(dian),使電源更容(rong)易實(shi)現(xian)高效率,高可靠(kao)性(xing)。
沃爾(er)德吸收二極管(guan)具有(you)較長(chang)的存儲時(shi)間和較(jiao)小的Irr,同時(shi)具(ju)有較長(chang)的平(ping)緩(huan)反向恢復特性,能平(ping)緩(huan)恢復電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產(chan)品達(da)到更好的EMI特性,滿足電(dian)源產(chan)品高效(xiao)率(lv)、高可靠性的需求。
通過(guo)優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間(jian)/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減(jian)少諧波振蕩的發生,從而減(jian)少或(huo)者減(jian)小(xiao)橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格(ge),例(li)如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等(deng)。