沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由4顆肖(xiao)特(te)基硅(gui)二極管橋式(shi)連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的(de)連接點是全(quan)橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是由(you)四只低壓降整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即(ji)是正向(xiang)壓降極低的整流橋。
逆(ni)變(bian)橋(qiao)是由四(si)顆快恢(hui)復二極(ji)管(guan)整合一(yi)起,即將(jiang)四(si)顆芯片封裝到(dao)一(yi)個(ge)支架(jia)上(shang)作橋(qiao)式連(lian)接(jie),有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二極(ji)管(guan)負極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是直流(liu)輸出(chu)端(duan)(duan)的“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管(guan)正極(ji)的連(lian)接(jie)點(dian)是直流(liu)輸出(chu)端(duan)(duan)的“負極(ji)”,另兩(liang)個(ge)引(yin)腳(jiao)是交流(liu)輸入端(duan)(duan),外用絕緣(yuan)塑料封裝而成。
一種集成采樣功(gong)能(neng)的整流(liu)橋,即通過采集電(dian)路中的輸入電(dian)流(liu),實現功(gong)率分(fen)配、電(dian)路保護。
開關橋是由四只高速開關二極管作橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極管(guan)負極的連接(jie)點是(shi)全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的(de)連接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極(ji)”,外(wai)用絕緣塑(su)封而成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二(er)極管具(ju)有較(jiao)低的VF值和極低(di)的反向漏電流Ir,體現出良(liang)好(hao)的低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的滿足高壓輸出電源(yuan)的高效率、高可靠(kao)性的需(xu)求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特(te)基二極管采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極低的高溫漏(lou)電流,能更(geng)好的滿(man)足電源產品的(de)高效(xiao)率,高可靠(kao)性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超(chao)快恢(hui)復二極管(guan)具(ju)有極低的反向恢(hui)復時間Trr和極(ji)低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開關速度,應(ying)用(yong)于硬開關條件下的PFC電(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源(yuan)的(de)次級整流電(dian)路。
沃(wo)爾德SGT MOS 具(ju)有極低(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)的(de)(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速度快等特點,能滿足(zu)產品溫升和效率的(de)(de)要求。
沃爾(er)德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高(gao)效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低(di)的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度(du)快并具有強的EAS性(xing)能和抗短路性(xing)能等特(te)點(dian),能滿足產品高效(xiao)和可靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用(yong)多層外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結(jie)電容小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電源更容易(yi)實現高(gao)(gao)效率,高(gao)(gao)可靠性(xing)。
沃爾德碳化硅二極管具極小的(de)反(fan)向恢(hui)復時間、高(gao)浪(lang)涌電流(liu)、高(gao)效可靠的(de)特性,封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化(hua)硅mos管具(ju)有低(di)RDS(on)高開關(guan)速度,高效可靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃(wo)爾德吸收二極(ji)管具有較長的(de)存儲時間和較小的(de)Irr,同(tong)時具(ju)有較長的(de)(de)平(ping)緩反向恢(hui)復(fu)特性,能平(ping)緩恢(hui)復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源的(de)(de)RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產品達到更好的(de)(de)EMI特性,滿足電(dian)源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性的(de)(de)需求。
通過優化(hua)二(er)極(ji)管Ta/Tb(開(kai)通時間/關(guan)斷時(shi)間)較軟的恢(hui)復特(te)性(xing),大幅減少諧波(bo)振蕩的發生,從而減少或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用或者使(shi)用規(gui)格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差(cha)模電(dian)感等。