沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產(chan)品是由4顆(ke)肖特基硅二極(ji)管橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)朔料(liao)封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品(pin)是由四只低壓降整(zheng)流硅芯片(pian)作橋(qiao)式(shi)連(lian)接,有四(si)個引出腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點是全(quan)橋直流輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的(de)連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)由(you)四顆快恢(hui)復二(er)極管(guan)整合一(yi)起,即將四顆芯(xin)片封裝到一(yi)個(ge)支架上作橋式(shi)連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)(liang)只二(er)極管(guan)負(fu)極的(de)連接點是(shi)直流輸出端(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)(liang)只二(er)極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是(shi)直流輸出端(duan)(duan)的(de)“負(fu)極”,另兩(liang)(liang)個(ge)引腳是(shi)交流輸入(ru)端(duan)(duan),外用絕緣塑料(liao)封裝而成。
一種集成采(cai)樣功能的整流橋,即通過采(cai)集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路保護。
開關橋是(shi)由四只高速(su)開關(guan)二(er)極管作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出端的“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是全(quan)橋直流輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成(cheng)。
沃(wo)爾德(de)高壓肖特(te)基二(er)極管(guan)具有較低的VF值(zhi)和極低的反向漏電流Ir,體現出良好(hao)的低溫升特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好(hao)的滿足高(gao)壓(ya)輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可(ke)靠性(xing)的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較(jiao)低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高溫漏電(dian)流,能更好的(de)滿足電源產(chan)品的(de)高效率,高可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管(guan)具有極低(di)的反向恢復(fu)時(shi)間Trr和極低的反向恢(hui)復(fu)電荷Qrr,并具有(you)超快的開關(guan)(guan)速度,應用于硬開關(guan)(guan)條件下的PFC電路(lu)和(he)高壓高頻電源的次(ci)級整流電路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并(bing)具有(you)開關速度快(kuai)等(deng)特點,能滿(man)足產品溫(wen)升和(he)效(xiao)率的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和Ciss 并具有(you)強(qiang)的EAS性能等特點,能滿足(zu)產品高效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和(he)抗短路性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和(he)可(ke)靠的(de)要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延工藝(yi),具有(you)低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度(du)快的特點(dian),使電源更容易實現高效率,高可靠性。
沃爾德吸收(shou)二極管具有較長的存儲時間(jian)和(he)較小的Irr,同時具有較長的平緩(huan)反向恢復(fu)特性(xing)(xing),能(neng)平緩(huan)恢復(fu)電流,應用于電源的RCD吸收電路,從(cong)而使電源產(chan)品達到(dao)更好(hao)的EMI特性(xing)(xing),滿足(zu)電源產(chan)品高效率、高可靠性(xing)(xing)的需求。
通(tong)過優化(hua)二(er)極管Ta/Tb(開通(tong)時(shi)間/關斷時間)較軟的恢復(fu)特(te)性(xing),大幅減少(shao)(shao)諧波振蕩的發生,從而減少(shao)(shao)或者減小橋(qiao)堆周邊(bian)EMI抑制(zhi)器件的使(shi)用(yong)(yong)或者使(shi)用(yong)(yong)規格,例如(ru)X電(dian)(dian)容,共模(mo)電(dian)(dian)感(gan),差模(mo)電(dian)(dian)感(gan)等。