沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由(you)4顆肖特(te)基硅二極管橋式連接,有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的(de)連接點是全橋(qiao)直流輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只(zhi)二極管正極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極”,外用絕(jue)緣(yuan)朔(shuo)料(liao)封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只低壓降整流硅芯片(pian)作橋式連接,有(you)四個引(yin)出腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是全橋直流(liu)輸出端(duan)的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端(duan)的“負(fu)極”,外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向(xiang)壓降極低的整流橋。
逆變橋是由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管(guan)整合一(yi)(yi)起,即將(jiang)四顆芯片封裝到一(yi)(yi)個(ge)支(zhi)架上作橋式連接,有四個(ge)引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的(de)(de)連接點是直流(liu)輸(shu)(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的(de)(de)連接點是直流(liu)輸(shu)(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳是交(jiao)流(liu)輸(shu)(shu)入端,外(wai)用(yong)絕緣塑料封裝而成。
一種集成采樣功能的整流橋,即通過采集電(dian)路中的輸入電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路保護。
開關橋(qiao)是由四只(zhi)高速(su)開關二極管(guan)作橋式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“正極”,兩(liang)只二(er)極管正極的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出端的(de)“負極”,外用絕緣塑封而(er)成。
沃爾德高(gao)壓肖特基二極(ji)管具有較低(di)的VF值和極低的(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好(hao)的(de)低溫升(sheng)特性。VRRM高(gao)達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)的(de)滿足高(gao)壓輸出(chu)電源的高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高溫(wen)漏電流,能(neng)更(geng)好的滿(man)足(zu)電(dian)源產品的(de)高效率,高可靠(kao)性的(de)需(xu)求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的反向恢復時間Trr和極低的反(fan)向恢復電荷(he)Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的開(kai)關速度,應用于硬開(kai)關條件下的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻電源(yuan)的次級整流電路(lu)。
沃(wo)爾(er)德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)(he)Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度快等(deng)特點,能滿足產品溫(wen)升(sheng)和(he)(he)效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的(de)RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產品(pin)高(gao)效和可靠的(de)要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能和抗短路性能等(deng)特點(dian),能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層(ceng)外延工藝,具有(you)低RDS(on)、結(jie)電(dian)容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開關(guan)速(su)度快的特點,使電(dian)源(yuan)更容易實現高效(xiao)率,高可靠(kao)性。
沃爾德吸收二極管具有(you)較長的存儲時間和較小的Irr,同(tong)時具有較長的(de)(de)平緩反向恢復特(te)性(xing),能(neng)平緩恢復電流(liu),應用于電源(yuan)的(de)(de)RCD吸收電路,從而使電源(yuan)產品達(da)到更好的(de)(de)EMI特(te)性(xing),滿足(zu)電源(yuan)產品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)(de)需求。
通過(guo)優化二(er)極管Ta/Tb(開(kai)通時間/關(guan)斷(duan)時(shi)間)較軟的恢復特性,大幅(fu)減少(shao)諧波振(zhen)蕩(dang)的發生,從而(er)減少(shao)或者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規格,例如X電容,共模電感,差模電感等。