沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖(xiao)特基硅二(er)極管橋式連接(jie),有(you)四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端(duan)的(de)“正極”,兩(liang)只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極”,外(wai)用絕緣(yuan)朔(shuo)料(liao)封(feng)裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四只低壓(ya)降整(zheng)流硅(gui)芯片作(zuo)橋式連接,有四個引出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點(dian)是全(quan)橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封而(er)成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是由(you)四顆快恢復二極(ji)(ji)管整合一(yi)起,即將(jiang)四顆芯片封裝到一(yi)個支(zhi)架上(shang)作橋(qiao)式連接(jie)(jie),有四個引(yin)出(chu)(chu)腳(jiao)。兩(liang)(liang)只二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連接(jie)(jie)點(dian)是直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接(jie)(jie)點(dian)是直(zhi)流輸出(chu)(chu)端的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個引(yin)腳(jiao)是交流輸入(ru)端,外用(yong)絕緣塑料封裝而成。
一(yi)種(zhong)集成采樣功能的整流橋(qiao),即通過采集電路中的輸入(ru)電流,實(shi)現功率分配、電路保護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二極管作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點(dian)是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極”,兩只(zhi)二(er)極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端的(de)“負極”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾德(de)高壓肖特基二(er)極管具(ju)有(you)較低(di)的VF值和極低的反向漏電(dian)流(liu)Ir,體(ti)現(xian)出(chu)良好(hao)的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流(liu)從(cong)5A到40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)可(ke)靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管(guan)采用先進的Trench工(gong)藝(yi),具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的高溫漏電流(liu),能(neng)更好的滿足電(dian)源產品(pin)的(de)高效(xiao)率,高可靠性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極(ji)管(guan)具有極(ji)低的(de)反向恢復時間Trr和(he)極低的反(fan)向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超(chao)快的開關速度,應用于(yu)硬開關條件下的PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻(pin)電(dian)源(yuan)的次(ci)級整流電(dian)路(lu)。
抗靜電器件(jian),ESD。針對主(zhu)流競(jing)品,我(wo)司(si)均(jun)有可替(ti)代產品,ESD類我(wo)司(si)接(jie)受(shou)定制物(wu)料。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度快(kuai)等(deng)特(te)點,能滿(man)足產品溫升和(he)效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠(kao)的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和抗短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品高(gao)效和可(ke)靠(kao)的要(yao)求。
沃(wo)爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有低(di)RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的特點,使電(dian)源更容易(yi)實現(xian)高效率(lv),高可(ke)靠性。
沃爾德碳化硅二極管(guan)具極小的反向恢(hui)復(fu)時(shi)間、高浪涌(yong)電流、高效可靠的特性(xing),封裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速度,高(gao)效(xiao)可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾(er)德吸收二極管具(ju)有(you)較長的(de)(de)存(cun)儲時間和較小的(de)(de)Irr,同時(shi)具有較長(chang)的平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)達到更好的EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)(yuan)產品(pin)高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可靠性的需求(qiu)。
通(tong)過優化二(er)極(ji)管Ta/Tb(開通時間/關(guan)斷時間)較軟的恢(hui)復特性,大幅(fu)減少(shao)諧波(bo)振蕩的發生(sheng),從(cong)而減少(shao)或者減小(xiao)橋堆周邊(bian)EMI抑制器件的(de)使用(yong)或者使用(yong)規格,例如X電(dian)容,共模電(dian)感,差模電(dian)感等。