沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整(zheng)流(liu)橋產品是由4顆肖(xiao)特基硅二極管橋式連(lian)接,有(you)四(si)個引出腳。兩只二極管負(fu)極的(de)連接(jie)點是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只二(er)極管正(zheng)極的連接點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極”,外用(yong)絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流(liu)橋產品是由(you)四只低(di)壓降整(zheng)流(liu)硅芯片作(zuo)橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低的(de)整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)由四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)管整合一起,即將四顆芯片封裝到一個(ge)支(zhi)架上作橋式連(lian)接(jie),有四個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只二(er)極(ji)管負(fu)極(ji)的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直流輸出(chu)端的“負(fu)極(ji)”,另兩個(ge)引(yin)腳是(shi)(shi)交流輸入端,外用絕緣(yuan)塑(su)料封裝而成。
一種集成采(cai)樣(yang)功能的整(zheng)流橋,即通過采(cai)集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實現功率分配、電(dian)(dian)路(lu)保護(hu)。
開關橋是由四只高速開(kai)關二極管作(zuo)橋式連接,有四個(ge)引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德高壓(ya)肖特基(ji)二極管具有較低的(de)VF值和(he)極低的反向漏電(dian)流Ir,體現出良好的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋,能更好的滿足高壓輸出電(dian)源(yuan)的(de)高效率(lv)、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特(te)基(ji)二極(ji)管(guan)采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和(he)極(ji)低的高溫漏電流,能更好的滿足電源(yuan)產品的高效(xiao)率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快(kuai)恢(hui)復(fu)二極管具有極低的(de)反向恢(hui)復(fu)時間Trr和(he)極(ji)低(di)的反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快的開(kai)(kai)關速度,應(ying)用于(yu)硬(ying)開(kai)(kai)關條件下(xia)的PFC電路和高壓高頻電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和Ciss ,并具有(you)開關速度快等特點,能(neng)滿足產品溫(wen)升和效率的要(yao)求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產(chan)品高效和可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并具有(you)強(qiang)的(de)EAS性能和抗短路(lu)性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和可(ke)靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外(wai)延工(gong)藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動(dong)、開關(guan)速度(du)快的(de)特點(dian),使電源(yuan)更容易實現高效率,高可(ke)靠性。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時間)較(jiao)軟的(de)恢(hui)復(fu)特性(xing),大(da)幅減(jian)(jian)少諧(xie)波振蕩的(de)發生(sheng),從而減(jian)(jian)少或者減(jian)(jian)小(xiao)橋堆周(zhou)邊(bian)EMI抑制器(qi)件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規格,例如X電容,共(gong)模電感(gan)(gan),差模電感(gan)(gan)等(deng)。