沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由(you)4顆(ke)肖特(te)基硅二(er)極管橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管(guan)負極的連接點是全(quan)橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出端(duan)的“負極”,外用(yong)絕緣朔(shuo)料封(feng)裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是由四只低壓降整流硅芯片作(zuo)橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的(de)連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管正(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑(su)封(feng)而(er)成。LOW VF即是正向壓降極低的整(zheng)流(liu)橋(qiao)。
逆變(bian)橋是由四(si)顆快恢(hui)復二極管整合一(yi)起,即將四(si)顆芯片封裝(zhuang)到一(yi)個(ge)支架上作橋式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩(liang)只二極管負極的(de)連接點(dian)是直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩(liang)只二極管正(zheng)極的(de)連接點(dian)是直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“負極”,另兩(liang)個(ge)引腳是交(jiao)流輸入端(duan),外用絕(jue)緣塑料封裝(zhuang)而(er)成(cheng)。
一種集成采樣功(gong)(gong)能的(de)整(zheng)流橋,即通(tong)過采集電(dian)(dian)路(lu)中的(de)輸入電(dian)(dian)流,實現(xian)功(gong)(gong)率(lv)分配、電(dian)(dian)路(lu)保護(hu)。
開關橋(qiao)是由四(si)只高速(su)開關(guan)二極管作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)(de)“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾德高壓肖(xiao)特基二極(ji)管具有較低的VF值和極低的(de)反(fan)向漏電流Ir,體(ti)現出良好的(de)低溫升特性(xing)。VRRM高(gao)達(da)350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更(geng)好的(de)滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特基二極管采用(yong)先進(jin)的(de)Trench工藝,具有較低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高溫漏(lou)電流,能更好(hao)的滿(man)足電源產品(pin)的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反向恢復時間Trr和(he)極低(di)的反向恢復電荷Qrr,并具有(you)超(chao)快的開關速(su)度,應(ying)用于硬開關條件下的PFC電路(lu)和高壓(ya)高頻電源的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有極(ji)低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和(he)Ciss ,并具(ju)有開關速(su)度快(kuai)等特點,能滿足產品溫升(sheng)和(he)效(xiao)率(lv)的要(yao)求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產(chan)品高效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開(kai)關(guan)速度快并(bing)具有(you)強的EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短(duan)路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德(de)SJ(超結)MOS采用多層外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關速度快的(de)特點,使電源更容(rong)易實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二極(ji)管具有(you)較長(chang)的(de)存(cun)儲時間和較小的(de)Irr,同時具(ju)有較長的(de)平緩反向恢復(fu)特性,能平緩恢復(fu)電(dian)(dian)(dian)流,應用于電(dian)(dian)(dian)源的(de)RCD吸收電(dian)(dian)(dian)路(lu),從而使(shi)電(dian)(dian)(dian)源產品達到更好(hao)的(de)EMI特性,滿足(zu)電(dian)(dian)(dian)源產品高(gao)效(xiao)率、高(gao)可靠性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時間(jian))較軟的恢復特(te)性,大幅減少諧(xie)波振蕩的發生,從(cong)而減少或(huo)者減小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使(shi)用(yong)或(huo)者使(shi)用(yong)規格,例如X電(dian)容(rong),共模電(dian)感(gan)(gan),差模電(dian)感(gan)(gan)等(deng)。