沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二極(ji)管(guan)橋式連接(jie),有四(si)個引出腳(jiao)。兩只(zhi)二(er)極(ji)管負極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流(liu)輸(shu)出端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點(dian)是全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)(ji)”,外(wai)用(yong)絕緣(yuan)朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整(zheng)流(liu)橋產品是由四(si)只低壓降(jiang)整流硅芯(xin)片作橋(qiao)式連接,有四(si)個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向(xiang)壓降(jiang)極低的整流(liu)橋(qiao)。
逆變(bian)橋(qiao)是(shi)由四顆快恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一起(qi),即將(jiang)四顆芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)到一個支架上作橋(qiao)式連(lian)接,有四個引出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出端(duan)的“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管正(zheng)極(ji)(ji)的連(lian)接點(dian)是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)(shu)出端(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另兩個引腳(jiao)是(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)(shu)入(ru)端(duan),外用(yong)絕緣塑料封(feng)裝(zhuang)而(er)成。
一種(zhong)集(ji)成采樣功能的整流橋,即通過(guo)采集(ji)電路中的輸入電流,實現功率分(fen)配、電路保護。
開關橋(qiao)是(shi)由四只高速開關二(er)極管(guan)作橋式連接,有(you)四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的(de)(de)連接點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的(de)(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出(chu)端的“負極”,外用(yong)絕緣(yuan)塑封(feng)而成。
沃爾德高(gao)壓(ya)肖特基二極管具有(you)較低的(de)VF值和極低的反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的低溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到40A全覆蓋(gai),能(neng)更好的滿(man)足高壓輸出電(dian)源的高效率、高可靠性(xing)的需求。
沃(wo)爾(er)德(de) LOW VF肖特(te)基二極(ji)(ji)管采(cai)用先進的Trench工藝,具有較低的VF值和極(ji)(ji)低的高(gao)溫漏電(dian)流,能更好的(de)滿足電源產品(pin)的(de)高效率(lv),高可靠性的(de)需(xu)求。
沃爾德LOW Trr超(chao)快(kuai)恢復二極管具有極低的反向恢復時間Trr和極(ji)低(di)的反向(xiang)恢復(fu)電荷Qrr,并具(ju)有超快的開關速度,應用(yong)于硬開關條(tiao)件下的PFC電路和高壓高頻電源的次(ci)級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具(ju)有(you)開關速度(du)快等(deng)特點,能滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產品(pin)高(gao)效和可(ke)靠的要求。
沃爾(er)德Trench MOS 具有較低的(de)RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并(bing)具(ju)有強(qiang)的EAS性(xing)能(neng)和抗短(duan)路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效和可靠(kao)的要求。
沃爾(er)德SJ(超結(jie))MOS采用多層外延(yan)工藝(yi),具(ju)有(you)低(di)RDS(on)、結電容(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速(su)度(du)快的(de)特(te)點,使(shi)電源更(geng)容(rong)易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性。
沃(wo)爾德(de)碳化硅二極管具(ju)極小的反向恢復時間、高(gao)(gao)浪涌電流、高(gao)(gao)效(xiao)可靠(kao)的特性(xing),封裝主要(yao)有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾德(de)碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高(gao)開關速度(du),高(gao)效可靠(kao),封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸(xi)收二極管具有較長(chang)的存(cun)儲(chu)時間和(he)較小的Irr,同(tong)時具(ju)有較(jiao)長(chang)的(de)(de)平(ping)緩反向恢(hui)復特性(xing),能平(ping)緩恢(hui)復電(dian)(dian)流(liu),應用于電(dian)(dian)源的(de)(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路(lu),從而(er)使電(dian)(dian)源產品達到更好的(de)(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源產品高效率、高可(ke)靠性(xing)的(de)(de)需(xu)求。
通過(guo)優(you)化二極管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發生,從而減少或者減小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使(shi)用或者(zhe)使(shi)用規(gui)格,例如X電容,共模(mo)電感,差(cha)模(mo)電感等(deng)。