沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋(qiao)產(chan)品是由(you)4顆肖(xiao)特基硅二極(ji)管橋(qiao)式連接(jie),有四(si)個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣(yuan)朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產(chan)品是(shi)由四只低(di)壓降整流(liu)硅(gui)芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極(ji)管(guan)負極(ji)的(de)(de)連(lian)接點是全橋(qiao)直流輸(shu)出端(duan)的(de)(de)“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是全橋直流輸出端(duan)的(de)“負極”,外用絕緣塑(su)封而成。LOW VF即(ji)是正向壓降極低的整流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復二(er)極(ji)管整合(he)一(yi)起,即將(jiang)四(si)顆(ke)芯片封裝到一(yi)個(ge)支(zhi)架上作橋(qiao)式(shi)連接(jie),有四(si)個(ge)引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管負(fu)(fu)極(ji)的連接(jie)點是(shi)直流輸出(chu)(chu)端的“正極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是(shi)直流輸出(chu)(chu)端的“負(fu)(fu)極(ji)”,另兩(liang)個(ge)引腳(jiao)是(shi)交(jiao)流輸入端,外用絕(jue)緣塑料封裝而成。
一(yi)種集(ji)成采(cai)樣功(gong)(gong)能(neng)的整流(liu)橋,即通過采(cai)集(ji)電路中的輸入電流(liu),實現功(gong)(gong)率分配、電路保護。
開關橋是由四(si)只高速(su)開關二極管作橋式(shi)連接,有(you)四(si)個引出腳。兩只二(er)極管(guan)負極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“正(zheng)(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)的連接(jie)點是全(quan)橋(qiao)直流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德(de)高壓肖特基二極(ji)管具有較低的VF值和極低(di)的(de)反向(xiang)漏電流Ir,體(ti)現(xian)出良好的(de)低(di)溫升(sheng)特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能(neng)更好的(de)滿足高(gao)壓輸(shu)出電源(yuan)的高(gao)效率、高(gao)可靠性(xing)的需(xu)求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先(xian)進的Trench工(gong)藝(yi),具有較低的VF值和極低的高(gao)溫漏(lou)電流,能更好的滿足(zu)電源產品的高效率,高可靠性的需求。
沃爾德(de)LOW Trr超(chao)快(kuai)恢(hui)復二極管具有極低的(de)反向恢(hui)復時間Trr和極低的(de)反(fan)向恢復電荷Qrr,并具有超快(kuai)的開關(guan)速度,應用于硬(ying)開關(guan)條件(jian)下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電源的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有開關速度快等特點,能滿(man)足產品(pin)溫升和(he)效(xiao)率的要求。
沃(wo)爾德(de)Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并具有(you)強的EAS性(xing)能(neng)和(he)抗短(duan)路性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品(pin)高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾(er)德SJ(超(chao)結)MOS采用(yong)多層外(wai)延(yan)工(gong)藝,具(ju)有低RDS(on)、結電容(rong)小、Qg 小,易(yi)驅(qu)動、開關速度(du)快的特點,使電源更容(rong)易(yi)實現(xian)高效率(lv),高可靠(kao)性。
沃爾德碳化硅二極(ji)管具極(ji)小的反(fan)向恢復時(shi)間、高浪涌電流、高效可靠的特(te)性,封裝主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高(gao)開(kai)關(guan)速度,高(gao)效可靠,封(feng)裝(zhuang)TOLL、TO-247等
通過優化二(er)極(ji)管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷時間)較軟(ruan)的恢復特性,大幅減少諧(xie)波振蕩的發生(sheng),從而減少或者(zhe)減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者(zhe)使用規格,例如(ru)X電容,共模(mo)(mo)電感,差模(mo)(mo)電感等(deng)。