沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流(liu)橋產(chan)品是由4顆肖特基硅二極(ji)管橋式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的連接點(dian)是全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是由四(si)只低(di)壓降整流硅芯片作橋式連(lian)接,有(you)四個(ge)引出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸(shu)出(chu)端的“正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正(zheng)(zheng)極(ji)(ji)的連接點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的“負極(ji)(ji)”,外用絕(jue)緣(yuan)塑封而成。LOW VF即是(shi)正向壓降極低的整(zheng)流橋。
逆變橋是(shi)由四顆(ke)(ke)快恢復(fu)二(er)極(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將四顆(ke)(ke)芯片封裝到一個支(zhi)架上作橋式連(lian)(lian)接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只(zhi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)連(lian)(lian)接(jie)點是(shi)直流(liu)(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個引腳是(shi)交流(liu)(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣塑料封裝而成(cheng)。
一(yi)種集成(cheng)采(cai)樣功能的整(zheng)流橋(qiao),即通過采(cai)集電路中的輸入電流,實現功率分配、電路保護。
開(kai)關橋是由四只高速開關二極管(guan)作橋式(shi)連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只二極管負極的連接點(dian)是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連(lian)接點是全(quan)橋直(zhi)流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣塑(su)封而成。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低的(de)(de)反向漏電(dian)流Ir,體現出良好的(de)(de)低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋(gai),能更好的(de)(de)滿(man)足高(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管(guan)采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)(di)的(de)高溫漏(lou)電流(liu),能更好的(de)滿足(zu)電源產品的高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性的需求(qiu)。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極(ji)管具(ju)有極(ji)低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電荷(he)Qrr,并具有超快的開關速(su)度,應(ying)用于(yu)硬開關條件下(xia)的PFC電(dian)路和高壓(ya)高頻電(dian)源的(de)次級(ji)整流電(dian)路。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極(ji)低(di)(di)的(de)RDs(on) 、低(di)(di)的(de)Qg和Ciss ,并具有開關速度快等(deng)特點,能滿足(zu)產品溫(wen)升和效率的(de)要求。
沃(wo)爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等(deng)特點,能滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性(xing)能(neng)和抗(kang)短路(lu)性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足(zu)產品高(gao)效和可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用多(duo)層外延(yan)工藝,具有低(di)RDS(on)、結電容(rong)(rong)小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)(yi)驅(qu)動、開關速度快的特(te)點(dian),使電源更容(rong)(rong)易(yi)(yi)實現高效(xiao)率,高可靠性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管(guan)具極小的反向恢復時間、高浪(lang)涌(yong)電流、高效(xiao)可靠的特性,封裝(zhuang)主(zhu)要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化(hua)硅mos管具有低RDS(on)高開關速度,高效可靠(kao),封(feng)裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二(er)極管具有較長(chang)的存(cun)儲時(shi)間和較(jiao)小的Irr,同時具有(you)較長的(de)平緩(huan)反向恢復(fu)特性,能平緩(huan)恢復(fu)電流,應用于(yu)電源(yuan)的(de)RCD吸收(shou)電路,從(cong)而使電源(yuan)產(chan)品(pin)達到(dao)更好的(de)EMI特性,滿足電源(yuan)產(chan)品(pin)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的(de)需求。
通過優化二極(ji)管Ta/Tb(開(kai)通時間(jian)/關斷時間)較軟(ruan)的恢復(fu)特性,大(da)幅減(jian)少(shao)諧波振蕩的發(fa)生,從而減(jian)少(shao)或者減(jian)小(xiao)橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格,例(li)如X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。