沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產(chan)品是由4顆肖特基硅二(er)極管(guan)橋式連接,有四個引(yin)出腳。兩(liang)只二(er)極管負極的連接點是全橋直流輸(shu)出端的“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整流硅(gui)芯片作橋式連接,有四個(ge)引(yin)出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二(er)極管負極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出(chu)(chu)端的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端的“負極”,外(wai)用絕(jue)緣塑封而成。LOW VF即是(shi)正(zheng)向壓(ya)降(jiang)極低的整流(liu)橋。
逆變橋是由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復(fu)二(er)極(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將(jiang)四(si)顆(ke)芯片(pian)封(feng)裝到一個支架上(shang)作(zuo)橋式連(lian)接,有四(si)個引出(chu)腳。兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管(guan)正極(ji)的(de)連(lian)接點是直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“負(fu)極(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳是交(jiao)流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝而成。
一(yi)種集成(cheng)采(cai)樣(yang)功能的(de)整(zheng)流橋,即(ji)通(tong)過采(cai)集電(dian)路中的(de)輸入電(dian)流,實現功率分配、電(dian)路保(bao)護。
開關橋是由四(si)只高速開關二極管作橋式連(lian)接,有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二(er)極管負極的連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管正極(ji)(ji)(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸(shu)出端的“負極(ji)(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾德(de)高壓肖特基(ji)二極管具(ju)有(you)較(jiao)低的VF值和極(ji)低的反向漏電流Ir,體現出(chu)良(liang)好(hao)(hao)的低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋,能更好(hao)(hao)的滿足高壓(ya)輸(shu)出電源的高效率、高可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管采用(yong)先進的Trench工藝,具有較(jiao)低(di)的VF值和極低(di)的高溫漏電流(liu),能更(geng)好的滿足電(dian)源產品的高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠(kao)性的需求。
沃(wo)爾德(de)LOW Trr超快(kuai)恢復二極(ji)管具有極(ji)低的(de)反向恢復時間(jian)Trr和極低的反向恢(hui)復電荷(he)Qrr,并(bing)具有超快的(de)開關速度,應用于(yu)硬開關條(tiao)件(jian)下的(de)PFC電(dian)路和高壓高頻電(dian)源的次級整流(liu)電(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具(ju)有極(ji)低(di)的(de)RDs(on) 、低(di)的(de)Qg和Ciss ,并具(ju)有開關速(su)度快等特(te)點,能滿足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾(er)德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性(xing)能等特點,能滿足產品高(gao)效(xiao)和可靠的要求。
沃(wo)爾德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的(de)RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強(qiang)的EAS性能和抗(kang)短路性能等特點,能滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采(cai)用(yong)多層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易(yi)驅動、開關速度(du)快的特(te)點,使電源更容易(yi)實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃(wo)爾德(de)吸收(shou)二極(ji)管具(ju)有較(jiao)長的(de)存儲時(shi)間和較小的(de)Irr,同時具有較長的(de)(de)平(ping)緩反(fan)向恢復特(te)性(xing)(xing),能平(ping)緩恢復電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源的(de)(de)RCD吸(xi)收電(dian)路,從而使電(dian)源產品(pin)達(da)到更好的(de)(de)EMI特(te)性(xing)(xing),滿足電(dian)源產品(pin)高效(xiao)率、高可靠性(xing)(xing)的(de)(de)需求。
通(tong)過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通(tong)時間/關斷(duan)時間)較(jiao)軟(ruan)的(de)(de)恢復特性,大(da)幅(fu)減少諧(xie)波(bo)振蕩的(de)(de)發生,從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如(ru)X電(dian)容,共模電(dian)感(gan),差模電(dian)感(gan)等。