沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整(zheng)流橋(qiao)產(chan)品是由(you)4顆(ke)肖特(te)基硅二極(ji)管橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的連接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產(chan)品是由(you)四只低壓降整流硅芯片作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二極管正(zheng)極的連(lian)接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降極低(di)的整流橋(qiao)。
逆(ni)變橋是(shi)(shi)由四(si)顆快恢復(fu)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一起,即將四(si)顆芯片封裝到(dao)一個(ge)支架(jia)上作橋式連(lian)接,有四(si)個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩只二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)正極(ji)(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是(shi)(shi)直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個(ge)引(yin)腳(jiao)是(shi)(shi)交(jiao)流輸入端,外用絕緣塑料(liao)封裝而成。
一(yi)種集成采(cai)樣功能的(de)(de)整流(liu)橋(qiao),即通過采(cai)集電路(lu)中的(de)(de)輸入電流(liu),實現功率分(fen)配、電路(lu)保護。
開關橋是由四只高速開關二極管(guan)作橋式連接,有四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管(guan)負(fu)極(ji)的(de)連(lian)接點是全橋(qiao)直(zhi)流輸出端的(de)“正極”,兩只二極管正極的(de)連接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負(fu)極”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特(te)基二(er)極(ji)管具有(you)較低的VF值和極低的(de)反向漏電流(liu)Ir,體現出良好的(de)低溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電流(liu)從5A到(dao)40A全(quan)覆蓋,能更(geng)好的(de)滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需求。
沃爾(er)德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管(guan)采用先進的(de)Trench工藝(yi),具有較低的(de)VF值和極(ji)低的(de)高溫漏(lou)電流,能(neng)更(geng)好的滿足電(dian)源產品(pin)的高效率,高可靠(kao)性的需求(qiu)。
沃(wo)爾(er)德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向(xiang)恢復時間Trr和(he)極低的反(fan)向恢(hui)復電荷(he)Qrr,并(bing)具有(you)超快的開關速度,應用于硬開關條件(jian)下的PFC電路和高(gao)壓高(gao)頻電源(yuan)的次級整流電路。
沃爾德SGT MOS 具有極低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和(he)Ciss ,并具有開關(guan)速度快等(deng)特點,能滿足產品溫升和(he)效率的(de)要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和Ciss 并具有(you)強的EAS性(xing)能等特點,能滿(man)足(zu)產品高(gao)效和可(ke)靠的要求。
沃(wo)爾德(de)Trench MOS 具有(you)較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快(kuai)并具有(you)強的(de)EAS性能和(he)抗短路(lu)性能等特點(dian),能滿足產(chan)品高效和(he)可靠(kao)的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開關(guan)速度(du)快的特點,使電源更容易實(shi)現高效率(lv),高可靠性。
沃爾(er)德吸收二極管具有較長的(de)(de)存儲時間(jian)和較小(xiao)的(de)(de)Irr,同時具有(you)較(jiao)長的(de)平(ping)緩反向(xiang)恢(hui)復特性(xing),能平(ping)緩恢(hui)復電流,應(ying)用于電源的(de)RCD吸收電路,從而使電源產品達(da)到更好(hao)的(de)EMI特性(xing),滿足(zu)電源產品高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)需求。
通過優(you)化二極管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷時間)較軟的恢復(fu)特性,大(da)幅(fu)減少諧波振蕩的發生,從而減少或者減小橋(qiao)堆周邊EMI抑(yi)制器(qi)件的使(shi)用(yong)或者使(shi)用(yong)規(gui)格(ge),例如X電容(rong),共模電感,差模電感等。