沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特(te)基整流橋產品是由(you)4顆肖(xiao)特基硅二極(ji)管橋式(shi)連接,有(you)四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只(zhi)二極管負極的(de)連接點(dian)是全(quan)橋直流輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是全(quan)橋直流(liu)輸出端的“負極”,外用(yong)絕(jue)緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產(chan)品是由四只低(di)壓降整(zheng)流硅芯片作橋式連接(jie),有四個引(yin)出腳。兩(liang)只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸(shu)出端的“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接(jie)點(dian)是全橋(qiao)直流輸(shu)出端的(de)“負(fu)極”,外用(yong)絕緣塑封而成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向壓(ya)降極低的整流橋。
逆(ni)變橋(qiao)是(shi)由四顆快恢復二(er)極管整合一起,即(ji)將四顆芯(xin)片封裝到一個(ge)(ge)支架上作橋(qiao)式連(lian)接(jie),有四個(ge)(ge)引出腳(jiao)(jiao)。兩只(zhi)二(er)極管負(fu)極的連(lian)接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的“正(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管正(zheng)極的連(lian)接(jie)點是(shi)直流輸出端(duan)的“負(fu)極”,另兩個(ge)(ge)引腳(jiao)(jiao)是(shi)交流輸入端(duan),外用絕緣塑(su)料(liao)封裝而成(cheng)。
一種集成(cheng)采(cai)樣功(gong)能的(de)(de)整流(liu)橋,即通過采(cai)集電路中的(de)(de)輸入(ru)電流(liu),實(shi)現功(gong)率分配、電路保護。
開關(guan)橋是由四只高速開關二極管(guan)作橋式(shi)連(lian)接,有四個(ge)引出(chu)腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的(de)連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出(chu)端的(de)“正(zheng)極”,兩只二極管(guan)正(zheng)極的(de)連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端(duan)的(de)“負極”,外用絕緣塑封而成(cheng)。
沃爾(er)德高壓肖特基二極(ji)管(guan)具有較低的(de)VF值和極低的反(fan)向漏電流Ir,體現(xian)出(chu)良好(hao)的低溫升特性。VRRM高達350V,電流從(cong)5A到40A全覆(fu)蓋,能更好(hao)的滿足高(gao)壓輸(shu)出電源的高(gao)效(xiao)率、高(gao)可(ke)靠性的需求(qiu)。
沃爾德 LOW VF肖特(te)基二極(ji)管采用(yong)先進(jin)的(de)Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低(di)的(de)VF值和極(ji)低(di)的(de)高溫漏電流(liu),能更(geng)好的滿足電源產品的(de)高效(xiao)率,高可靠性的(de)需(xu)求。
沃爾德(de)LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極管(guan)具有極低的反向恢(hui)復(fu)時間Trr和(he)極低的反向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超(chao)快(kuai)的開關(guan)速度,應用(yong)于硬開關(guan)條件下的PFC電(dian)路和高(gao)壓高(gao)頻電(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)路。
沃(wo)爾(er)德(de)SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關速(su)度快(kuai)等特點,能滿(man)足產品(pin)溫升和效(xiao)率的要求(qiu)。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的(de)EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品(pin)高效和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性(xing)能(neng)(neng)和(he)抗短路性(xing)能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產(chan)品高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結(jie))MOS采用多層(ceng)外延工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅(qu)動、開(kai)關速(su)度快的特點,使電源更容易實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性(xing)。
沃(wo)爾(er)德碳化硅二(er)極(ji)管具極(ji)小的反向恢(hui)復時(shi)間、高浪(lang)涌電流(liu)、高效(xiao)可(ke)靠(kao)的特性,封裝(zhuang)主(zhu)要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾(er)德碳化硅mos管具有低RDS(on)高開關速度,高效可靠(kao),封裝(zhuang)TOLL、TO-247等
沃爾德吸收二極管具有(you)較(jiao)長的存儲時間(jian)和較(jiao)小的Irr,同時(shi)具有較長的平(ping)緩反向恢(hui)復特(te)性,能(neng)平(ping)緩恢(hui)復電(dian)流,應用于電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源產品(pin)達(da)到更好的EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品(pin)高效率、高可靠(kao)性的需求。
通(tong)過優化二極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關斷時間)較軟(ruan)的(de)恢(hui)復(fu)特性,大幅減(jian)少諧波(bo)振蕩的(de)發(fa)生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的(de)使(shi)用或者使(shi)用規格,例如(ru)X電容,共(gong)模(mo)電感(gan),差模(mo)電感(gan)等。