沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品(pin)是由4顆肖特基硅二極管橋式(shi)連接,有(you)四(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連(lian)接點(dian)是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料(liao)封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流(liu)橋產品(pin)是由四(si)只低(di)壓降整流硅(gui)芯(xin)片作(zuo)橋(qiao)式連接,有四個(ge)引(yin)出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只二(er)極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即(ji)是正(zheng)向壓降極低的整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)(shi)(shi)由四(si)顆快恢復(fu)二極(ji)管(guan)(guan)整合一(yi)起,即將四(si)顆芯片封裝(zhuang)到一(yi)個支架上作(zuo)橋式(shi)連接(jie),有四(si)個引(yin)出腳。兩只(zhi)二極(ji)管(guan)(guan)負極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是(shi)(shi)(shi)(shi)直流輸(shu)出端(duan)(duan)的(de)“正極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管(guan)(guan)正極(ji)的(de)連接(jie)點(dian)是(shi)(shi)(shi)(shi)直流輸(shu)出端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)”,另兩個引(yin)腳是(shi)(shi)(shi)(shi)交流輸(shu)入(ru)端(duan)(duan),外用絕緣塑料封裝(zhuang)而成。
一種集(ji)成采樣功(gong)能(neng)的(de)整流(liu)橋,即通過采集(ji)電路中(zhong)的(de)輸入電流(liu),實現功(gong)率分配、電路保(bao)護。
開關橋是由四(si)只高速開關二極管作橋(qiao)式連接,有四個引出(chu)(chu)腳(jiao)。兩只二極管負極的連接點(dian)是全(quan)橋直流輸出(chu)(chu)端(duan)的“正(zheng)極(ji)”,兩(liang)只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連(lian)接(jie)點是全橋直流(liu)輸出端(duan)的“負(fu)極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃爾(er)德高壓肖特基二極管具有(you)較低的VF值和極低的(de)反向漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良好的(de)低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到(dao)40A全覆蓋,能更好的(de)滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可(ke)靠性的需(xu)求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極(ji)管采用先進的Trench工藝,具有較低的VF值(zhi)和極(ji)低的高(gao)溫漏電(dian)流,能(neng)更好的滿足電源產品的(de)高效(xiao)率,高可(ke)靠(kao)性的(de)需求(qiu)。
沃爾德LOW Trr超快恢復二極管具(ju)有極低(di)的反(fan)向恢復時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有超快的開(kai)關(guan)速度,應用于硬(ying)開(kai)關(guan)條(tiao)件(jian)下的PFC電(dian)路(lu)和高壓高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)。
沃(wo)爾德SGT MOS 具有極低(di)的RDs(on) 、低(di)的Qg和(he)Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快(kuai)等特點,能滿足產品溫(wen)升(sheng)和(he)效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的(de)RDs(on)和(he)Ciss 并(bing)具有強的EAS性(xing)能(neng)等特點,能(neng)滿足產品(pin)高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有(you)強的EAS性能(neng)和(he)抗(kang)短(duan)路性能(neng)等特點,能(neng)滿足(zu)產品高效和(he)可靠的要求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層(ceng)外延(yan)工(gong)藝,具有(you)低RDS(on)、結(jie)電容小、Qg 小,易(yi)驅動、開關速度快的特(te)點,使電源更(geng)容易(yi)實現(xian)高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德碳化硅二極管具極小的反(fan)向恢復時間、高(gao)浪涌電流、高(gao)效可靠的特(te)性(xing),封裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高(gao)開關(guan)速(su)度(du),高(gao)效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸收(shou)二極管(guan)具有(you)較長的存(cun)儲時間和較小的Irr,同時(shi)具(ju)有較長的(de)平(ping)緩(huan)反向恢復特性(xing),能平(ping)緩(huan)恢復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源的(de)RCD吸收(shou)電(dian)(dian)路,從而使電(dian)(dian)源產(chan)品達到(dao)更好的(de)EMI特性(xing),滿足(zu)電(dian)(dian)源產(chan)品高效率、高可(ke)靠性(xing)的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時間/關斷時間)較軟(ruan)的(de)恢(hui)復特性(xing),大(da)幅減少諧波振蕩的(de)發生,從而減少或(huo)者(zhe)減小橋堆(dui)周邊(bian)EMI抑制(zhi)器件的使(shi)用(yong)或者(zhe)使(shi)用(yong)規(gui)格,例(li)如X電容,共模(mo)電感,差模(mo)電感等。