沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基(ji)整流橋產品是由4顆肖(xiao)特(te)基(ji)硅(gui)二極(ji)管橋(qiao)式連接(jie),有四個引(yin)出(chu)腳(jiao)。兩只二極管負(fu)極的連接(jie)點是全橋直流輸出(chu)端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接(jie)點是全橋直流輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣朔料(liao)封裝而(er)成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只低壓降(jiang)整流(liu)硅芯片作橋(qiao)式連接(jie),有四個(ge)引(yin)出腳(jiao)。兩只二極(ji)管負(fu)極(ji)的連接點是全橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正(zheng)極(ji)的(de)連接點是全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)塑封而成(cheng)。LOW VF即是正向壓降極(ji)低的整(zheng)流橋。
逆變(bian)橋(qiao)是由四(si)顆(ke)快(kuai)恢復二極(ji)(ji)管整合一(yi)起,即(ji)將四(si)顆(ke)芯片封裝到一(yi)個支架上作橋(qiao)式連(lian)接,有四(si)個引(yin)出腳。兩只二極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接點是直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)(de)連(lian)接點是直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)出端的(de)(de)“負極(ji)(ji)”,另兩個引(yin)腳是交(jiao)流(liu)輸(shu)入端,外用絕緣塑料封裝而成。
一種(zhong)集成(cheng)采(cai)樣功能(neng)的整(zheng)流(liu)橋,即(ji)通過采(cai)集電路中的輸入電流(liu),實現功率(lv)分配、電路保護。
開關橋是(shi)由四只高速(su)開關二極管作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是(shi)全(quan)橋直流輸出端的“正(zheng)極(ji)”,兩只(zhi)二極(ji)管正(zheng)極(ji)的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸(shu)出端的“負(fu)極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封而成。
沃爾德高壓肖特(te)基二極管具有(you)較低的VF值和極低(di)的(de)(de)反(fan)向漏電流Ir,體(ti)現(xian)出良好的(de)(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全(quan)覆蓋,能更好的(de)(de)滿(man)足高壓輸(shu)出(chu)電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖(xiao)特基二極管采用先進的Trench工藝(yi),具有較低的VF值(zhi)和極低的高溫漏電流,能更(geng)好的(de)滿(man)足(zu)電(dian)源產品的高效率(lv),高可(ke)靠性的需求。
沃(wo)爾德LOW Trr超快恢復(fu)二極管(guan)具有(you)極低的反(fan)向恢復(fu)時間(jian)Trr和(he)極低(di)的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超快的(de)開關速(su)度(du),應用(yong)于(yu)硬開關條件下的(de)PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次級整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并(bing)具有(you)開關速(su)度快等特(te)點,能(neng)滿足產(chan)品溫(wen)升和效率(lv)的要求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiang)的EAS性能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足(zu)產品(pin)高效和(he)可靠的(de)要求。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具有強的(de)EAS性能和(he)(he)抗短路性能等(deng)特點,能滿足(zu)產品(pin)高效(xiao)和(he)(he)可靠的要求(qiu)。
沃爾德SJ(超結)MOS采用(yong)多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關(guan)速度快的特點(dian),使電(dian)源更容(rong)易實現高效率,高可(ke)靠性(xing)。
沃爾德碳(tan)化硅(gui)二極管(guan)具極小的反向(xiang)恢復時(shi)間、高(gao)浪涌電(dian)流(liu)、高(gao)效可(ke)靠的特性(xing),封裝主要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德(de)碳化(hua)硅(gui)mos管具有低(di)RDS(on)高開關速度,高效可(ke)靠(kao),封裝(zhuang)TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二極(ji)管(guan)具有較長的(de)存儲(chu)時間和較小的(de)Irr,同時具(ju)有較(jiao)長的(de)(de)平(ping)緩(huan)反向恢復(fu)特性(xing),能平(ping)緩(huan)恢復(fu)電流,應用于電源(yuan)的(de)(de)RCD吸(xi)收(shou)電路(lu),從而使電源(yuan)產(chan)(chan)品(pin)達到更好的(de)(de)EMI特性(xing),滿(man)足(zu)電源(yuan)產(chan)(chan)品(pin)高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性(xing)的(de)(de)需求。
通過優化(hua)二(er)極管Ta/Tb(開通(tong)時間(jian)/關斷(duan)時(shi)間(jian))較軟的(de)恢復特性,大幅減少(shao)諧(xie)波(bo)振蕩的(de)發生,從而減少(shao)或者減小橋(qiao)堆(dui)周邊EMI抑制器件的(de)使(shi)用或(huo)者(zhe)使(shi)用規格(ge),例如X電容,共模(mo)(mo)電感,差(cha)模(mo)(mo)電感等。