沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整流橋產(chan)品是由4顆肖(xiao)特基硅二(er)極(ji)管(guan)橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳。兩只二極管負極的連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出(chu)端的“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的(de)連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸出端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,外(wai)用絕緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是(shi)由四只(zhi)低(di)壓降整流硅芯片作橋式連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的(de)整流橋(qiao)。
逆(ni)變(bian)橋是(shi)(shi)由四(si)顆快(kuai)恢(hui)復二極(ji)(ji)管(guan)整(zheng)合一起,即將(jiang)四(si)顆芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)到(dao)一個(ge)支架(jia)上作橋式連接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)(dian)是(shi)(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正極(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)的(de)連接點(dian)(dian)是(shi)(shi)直流輸出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩個(ge)引腳(jiao)是(shi)(shi)交流輸入端(duan)(duan),外(wai)用絕緣(yuan)塑料封(feng)裝(zhuang)(zhuang)而(er)成。
一種集(ji)成(cheng)采樣功能(neng)的(de)整流(liu)橋,即通(tong)過采集(ji)電(dian)路中(zhong)的(de)輸入(ru)電(dian)流(liu),實現功率分配、電(dian)路保護。
開關橋是由四只高速開關二(er)極管作(zuo)橋式連(lian)接,有四個(ge)引(yin)出(chu)腳。兩(liang)只二極管負極的連(lian)接(jie)點(dian)是全橋直(zhi)流(liu)輸出(chu)端的“正極”,兩(liang)只(zhi)二(er)極管(guan)正極的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“負(fu)極”,外用絕緣(yuan)塑(su)封而成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二(er)極管(guan)具有(you)較低的(de)VF值(zhi)和極低(di)的(de)反(fan)向漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良好的(de)低(di)溫升(sheng)特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的(de)滿足(zu)高(gao)壓輸出電源的(de)高(gao)效率、高(gao)可靠性的(de)需求。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管(guan)采用先進(jin)的(de)Trench工(gong)藝(yi),具有較(jiao)低的(de)VF值和極低的(de)高溫(wen)漏(lou)電流(liu),能(neng)更好的(de)滿足電(dian)源產(chan)品的高(gao)效率,高(gao)可靠(kao)性的需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具(ju)有極(ji)低的反向恢復時(shi)間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢復電荷Qrr,并具有超快的開關(guan)速(su)度,應(ying)用于硬開關(guan)條(tiao)件下的PFC電(dian)路(lu)(lu)和高壓高頻電(dian)源的次級整流電(dian)路(lu)(lu)。
沃爾(er)德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開(kai)關速度快(kuai)等特(te)點,能滿足產品溫升和效率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能等特點,能滿(man)足產品高效和可靠的(de)要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有(you)較低的RDs(on) 、Qg和(he)Ciss ,開關速度快并具有強的EAS性能和抗(kang)短(duan)路(lu)性能等特點,能滿足產品(pin)高效和可靠(kao)的要求。
沃爾(er)德SJ(超結)MOS采用多層(ceng)外延工(gong)藝,具(ju)有低(di)RDS(on)、結電(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅動、開關速度快的特(te)點,使電(dian)源(yuan)更容(rong)易實現高效率,高可(ke)靠性。
沃爾德碳化(hua)硅二極管具極小的反向恢復時間、高浪涌電流、高效可(ke)靠的特(te)性(xing),封(feng)裝主要有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等(deng)。
沃爾德碳化硅mos管具有低(di)RDS(on)高開關(guan)速度,高效(xiao)可靠,封裝(zhuang)TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德(de)吸收二極管具有(you)較長(chang)的存儲時間和較小的Irr,同(tong)時(shi)具有(you)較長的平緩反向恢(hui)復特性(xing),能平緩恢(hui)復電(dian)(dian)流,應(ying)用于電(dian)(dian)源的RCD吸收電(dian)(dian)路,從而使(shi)電(dian)(dian)源產品(pin)達到(dao)更好(hao)的EMI特性(xing),滿足電(dian)(dian)源產品(pin)高效率、高可(ke)靠(kao)性(xing)的需求。
通(tong)過(guo)優化(hua)二極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關斷時(shi)間)較軟的恢(hui)復特(te)性(xing),大幅減少諧(xie)波振蕩的發生,從而減少或者減小(xiao)橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使(shi)(shi)用或者使(shi)(shi)用規格,例如X電(dian)(dian)容,共模電(dian)(dian)感,差模電(dian)(dian)感等。