沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基硅二極管橋式連接(jie),有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點(dian)是全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“正極(ji)(ji)(ji)”,兩只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,外用(yong)絕緣朔料封(feng)裝而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四(si)只低壓降整(zheng)流(liu)硅(gui)芯(xin)片作(zuo)橋式連接,有四(si)個引出腳。兩(liang)只(zhi)二極管(guan)負極的(de)連接點是(shi)全橋直流輸出端的(de)“正極(ji)”,兩(liang)只二極(ji)管正極(ji)的連接(jie)點是全橋直(zhi)流(liu)輸(shu)出端的“負極(ji)”,外用絕(jue)緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓降(jiang)極低的整流橋(qiao)。
逆變橋是(shi)由(you)四顆快(kuai)恢復二(er)極(ji)(ji)管整合一起,即將四顆芯(xin)片封裝(zhuang)(zhuang)到一個支(zhi)架(jia)上作橋式連接(jie),有四個引出腳。兩(liang)只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)(ji)管負(fu)極(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)(dian)是(shi)直流輸出端(duan)的“正極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)(zhi)二(er)極(ji)(ji)管正極(ji)(ji)的連接(jie)點(dian)(dian)是(shi)直流輸出端(duan)的“負(fu)極(ji)(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳是(shi)交流輸入端(duan),外用絕緣塑料封裝(zhuang)(zhuang)而(er)成。
一種集(ji)成采(cai)樣功能(neng)的整流橋,即通過采(cai)集(ji)電(dian)路中(zhong)的輸入電(dian)流,實現(xian)功率分(fen)配、電(dian)路保護。
開(kai)關(guan)橋是由(you)四只高(gao)速開(kai)關二極管(guan)作橋式連(lian)接,有四(si)個引(yin)出(chu)腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋直流輸(shu)出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管(guan)正極(ji)的連(lian)接點是全橋直流輸出(chu)端的“負極(ji)”,外用(yong)絕緣塑封而(er)成(cheng)。
沃爾德高壓肖特基二極管具有較(jiao)低的(de)VF值(zhi)和極低(di)的反(fan)向漏電(dian)流Ir,體(ti)現出良好的低(di)溫(wen)升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從5A到40A全覆蓋(gai),能更好的滿足高壓輸出電源的高效率、高可靠(kao)性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二(er)極(ji)管采用先進的(de)(de)Trench工藝,具(ju)有較(jiao)低的(de)(de)VF值和極(ji)低的(de)(de)高(gao)溫漏(lou)電流,能更好的滿足電源產(chan)品的高(gao)效(xiao)率(lv),高(gao)可靠(kao)性的需(xu)求。
沃(wo)爾(er)德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低(di)的反向恢復時間Trr和極低的反向恢(hui)復(fu)電荷(he)Qrr,并具有超(chao)快的開關速度(du),應用(yong)于硬開關條件下的PFC電路和(he)高壓高頻電源的次級整流(liu)電路。
沃爾德SGT MOS 具(ju)有(you)極(ji)低的(de)RDs(on) 、低的(de)Qg和Ciss ,并(bing)具(ju)有(you)開(kai)關速度快等特點,能(neng)滿足產品溫升和效率的(de)要求。
沃爾德Planar MOS 具(ju)有低的RDs(on)和(he)Ciss 并具(ju)有(you)強的(de)EAS性(xing)能等特點,能滿足(zu)產品(pin)高效和可靠的要(yao)求。
沃爾德(de)Trench MOS 具有較(jiao)低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快(kuai)并具有強的EAS性能(neng)和(he)(he)抗(kang)短路性能(neng)等特(te)點,能(neng)滿足產品高效和(he)(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多(duo)層外延工(gong)藝,具有低RDS(on)、結電容小(xiao)(xiao)、Qg 小(xiao)(xiao),易驅動、開(kai)關速度快的特點,使電源更容易實(shi)現高效(xiao)率,高可靠性。
沃爾德碳化(hua)硅二極管具極小的反向恢復時間、高浪涌(yong)電流、高效可靠(kao)的特(te)性,封(feng)裝(zhuang)主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅mos管(guan)具有低RDS(on)高(gao)開(kai)關速(su)度,高(gao)效可(ke)靠,封裝TOLL、TO-247等
沃(wo)爾德吸收二極管具有(you)較長的存(cun)儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有較(jiao)長的(de)平緩(huan)反向恢復特性(xing),能平緩(huan)恢復電(dian)流,應用于電(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源(yuan)產品達(da)到更好的(de)EMI特性(xing),滿足電(dian)源(yuan)產品高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)可(ke)靠性(xing)的(de)需求。
通過優(you)化二極(ji)管Ta/Tb(開(kai)通(tong)時(shi)間/關(guan)斷時間)較軟的恢(hui)復特性(xing),大幅減(jian)少諧波振蕩的發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋堆周(zhou)邊EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如X電容,共模(mo)電感(gan),差模(mo)電感(gan)等(deng)。