沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是(shi)由4顆肖特基(ji)硅二極管橋式連(lian)接(jie),有四個引出(chu)(chu)腳。兩只二極管(guan)負極的(de)連(lian)接(jie)點是全橋直流輸出(chu)(chu)端的(de)“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“負極(ji)”,外(wai)用絕緣朔料封裝而成。
LOW VF整流橋產品是由四只低壓降整(zheng)流硅芯(xin)片作橋式連接,有(you)四(si)個引(yin)出腳。兩只二極管負極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點(dian)是全橋直流輸(shu)出端的“負極”,外(wai)用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極(ji)低的整流橋。
逆變橋是(shi)由四(si)顆快恢復二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)整合一起,即將四(si)顆芯片封(feng)裝到一個支架(jia)上作橋式(shi)連接(jie),有四(si)個引出腳。兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)負極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流輸(shu)出端(duan)的(de)“正(zheng)極(ji)(ji)”,兩(liang)只(zhi)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)正(zheng)極(ji)(ji)的(de)連接(jie)點是(shi)直流輸(shu)出端(duan)的(de)“負極(ji)(ji)”,另(ling)兩(liang)個引腳是(shi)交流輸(shu)入端(duan),外用絕(jue)緣塑料封(feng)裝而成。
一種(zhong)集成采(cai)樣功能(neng)的整流(liu)橋,即通過采(cai)集電路中的輸入電流(liu),實現功率分配、電路保(bao)護(hu)。
開關橋是(shi)由四(si)只高速開關二極管作橋式(shi)連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點(dian)是全(quan)橋直流輸出端(duan)的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋直流(liu)輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣塑(su)封而成(cheng)。
沃爾德(de)高壓肖特基(ji)二極管(guan)具有較低的VF值和極低的反向漏(lou)電流Ir,體現出良(liang)好(hao)的低溫(wen)升(sheng)特性(xing)。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全覆蓋,能更(geng)好(hao)的滿足高(gao)壓(ya)輸出電源的高(gao)效率(lv)、高(gao)可靠性的需(xu)求(qiu)。
沃(wo)爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的Trench工(gong)藝,具有(you)較低的VF值和極低的高溫漏電(dian)流(liu),能(neng)更好的(de)滿足(zu)電源(yuan)產品的(de)高效(xiao)率,高可靠性的(de)需(xu)求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極(ji)管具有極(ji)低的(de)反(fan)向(xiang)恢復時間(jian)Trr和極低(di)的反(fan)向恢復(fu)電荷Qrr,并(bing)具有超快的(de)開關速度,應用于硬開關條件下的(de)PFC電(dian)(dian)路和高壓高頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)的次級整流電(dian)(dian)路。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的RDs(on) 、低的Qg和(he)Ciss ,并具有(you)開關速度快等特點,能滿足產品溫升和(he)效率的要求。
沃爾德(de)Planar MOS 具(ju)有低的(de)RDs(on)和Ciss 并(bing)具(ju)有強的(de)EAS性(xing)能(neng)等特點(dian),能(neng)滿足(zu)產(chan)品高(gao)效(xiao)和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度快并具(ju)有強的EAS性(xing)能和抗短(duan)路性(xing)能等特點,能滿足產品高效和可靠的要求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外延工藝(yi),具(ju)有低RDS(on)、結電(dian)(dian)容(rong)小、Qg 小,易驅(qu)動、開關速度快(kuai)的特點(dian),使電(dian)(dian)源更容(rong)易實現高效(xiao)率(lv),高可(ke)靠性。
沃(wo)爾德碳化硅二極管具(ju)極小的(de)反向恢復(fu)時間、高浪(lang)涌(yong)電(dian)流、高效可靠的(de)特性(xing),封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃爾德碳化硅(gui)mos管具有低RDS(on)高(gao)開關速度,高(gao)效可靠,封裝TOLL、TO-247等(deng)
沃爾德吸收二極管具有(you)較長(chang)的存儲時間和較小的Irr,同時(shi)具(ju)有較長的平緩反向恢(hui)復(fu)特性,能平緩恢(hui)復(fu)電流,應用于(yu)電源的RCD吸收電路,從而使電源產(chan)(chan)品達到(dao)更好(hao)的EMI特性,滿足電源產(chan)(chan)品高效率、高可靠(kao)性的需求(qiu)。
通過(guo)優化二(er)極管Ta/Tb(開通時(shi)間/關(guan)斷時間(jian))較軟的恢復特性,大幅減(jian)少諧波(bo)振蕩的發生,從而減(jian)少或者減(jian)小橋(qiao)堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(gui)格,例如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。