沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特(te)基整(zheng)流橋(qiao)產品是由4顆(ke)肖特(te)基硅二極管橋式連(lian)接,有(you)四個引出腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的“正極”,兩只(zhi)二(er)極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負(fu)極”,外用絕緣朔料封裝(zhuang)而成。
LOW VF整流橋產品是由(you)四只(zhi)低(di)壓降整流硅芯片(pian)作橋式連接(jie),有四個引出(chu)腳(jiao)。兩只二極(ji)管負極(ji)的連接(jie)點是(shi)全橋直流輸出(chu)端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封(feng)而成。LOW VF即是正向壓(ya)降極(ji)低的整流橋。
逆變橋是(shi)由四顆快(kuai)恢(hui)復(fu)二極(ji)(ji)(ji)管(guan)整合一起,即將四顆芯(xin)片(pian)封裝到一個支架上作橋式連接(jie)(jie),有四個引(yin)(yin)出(chu)腳。兩(liang)(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)負極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)(de)“正極(ji)(ji)(ji)”,兩(liang)(liang)只二極(ji)(ji)(ji)管(guan)正極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)連接(jie)(jie)點是(shi)直流(liu)輸(shu)出(chu)端(duan)的(de)(de)“負極(ji)(ji)(ji)”,另兩(liang)(liang)個引(yin)(yin)腳是(shi)交流(liu)輸(shu)入端(duan),外用絕緣(yuan)塑料封裝而(er)成。
一種集(ji)成采樣(yang)功(gong)能的(de)(de)整(zheng)流橋,即(ji)通過采集(ji)電(dian)路中的(de)(de)輸(shu)入電(dian)流,實現功(gong)率(lv)分(fen)配(pei)、電(dian)路保護(hu)。
開關橋(qiao)是由四只高速開關(guan)二極管作(zuo)橋式連接,有四(si)個引出(chu)腳(jiao)。兩(liang)只二(er)極(ji)(ji)管負極(ji)(ji)的(de)連接點是全橋直流(liu)輸出(chu)端的(de)“正極”,兩只二(er)極管正極的(de)連接點是(shi)全橋(qiao)直流輸出端的(de)“負極”,外(wai)用絕緣塑封而(er)成。
沃爾德高(gao)壓肖(xiao)特(te)基二極管具有較低(di)的(de)VF值和(he)極低的(de)反(fan)向漏電流Ir,體現出良好的(de)低溫升特(te)性。VRRM高達350V,電流從5A到(dao)40A全覆(fu)蓋,能更(geng)好的(de)滿足高(gao)(gao)壓輸出電(dian)源的高(gao)(gao)效率(lv)、高(gao)(gao)可靠性的需求。
沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進的(de)Trench工藝,具有較低(di)(di)的(de)VF值和極低(di)(di)的(de)高溫漏電流,能更(geng)好的滿足電(dian)源產品的(de)高(gao)效(xiao)率,高(gao)可靠性的(de)需求。
沃爾德LOW Trr超快恢(hui)復(fu)二極(ji)管具有極(ji)低的反(fan)向恢(hui)復(fu)時間Trr和極低的反向恢復電荷Qrr,并具有(you)超快(kuai)的開關速度,應用(yong)于硬開關條件下的PFC電路(lu)和高(gao)壓高(gao)頻(pin)電源的次(ci)級(ji)整流電路(lu)。
沃爾德SGT MOS 具有(you)極低的(de)(de)RDs(on) 、低的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開關速(su)度快等特點(dian),能滿(man)足產品(pin)溫升和效(xiao)率的(de)(de)要(yao)求(qiu)。
沃(wo)爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并(bing)具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿足產品高效(xiao)和可靠的要求。
沃爾德Trench MOS 具有較(jiao)低(di)的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速(su)度快并(bing)具(ju)有(you)強的EAS性(xing)能(neng)(neng)和(he)抗短路性(xing)能(neng)(neng)等特點,能(neng)(neng)滿足產(chan)品高效和(he)可(ke)靠的要求(qiu)。
沃(wo)爾德SJ(超(chao)結)MOS采用多層外延工藝,具有低RDS(on)、結電(dian)容小、Qg 小,易驅(qu)動、開(kai)關速(su)度快的(de)特(te)點,使(shi)電(dian)源更(geng)容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃(wo)爾德碳(tan)化(hua)硅二極管具極小(xiao)的反(fan)向恢(hui)復時間、高浪(lang)涌電流、高效可靠(kao)的特性,封裝(zhuang)主要(yao)有(you)PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃(wo)爾(er)德(de)碳(tan)化硅mos管具有低RDS(on)高開關速度,高效(xiao)可靠,封裝TOLL、TO-247等
沃爾德吸(xi)收二極管具有較長(chang)的存儲時(shi)間和較小的Irr,同時具有(you)較長的平(ping)緩反(fan)向恢復(fu)特性,能平(ping)緩恢復(fu)電(dian)流,應用于(yu)電(dian)源(yuan)的RCD吸收電(dian)路,從而使電(dian)源(yuan)產品達到更好的EMI特性,滿足電(dian)源(yuan)產品高效率(lv)、高可靠性的需求。
通過(guo)優化(hua)二(er)極管Ta/Tb(開通時間(jian)/關(guan)斷時間(jian))較(jiao)軟(ruan)的(de)恢(hui)復特性,大幅減少諧波振(zhen)蕩的(de)發(fa)生,從而(er)減少或(huo)者減小(xiao)橋堆周(zhou)邊(bian)EMI抑制器件的使用或者使用規格,例如X電(dian)容,共模(mo)電(dian)感,差模(mo)電(dian)感等。