沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖特基整流橋產品是由(you)4顆肖特基硅二極管橋式(shi)連接(jie),有(you)四個引出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點(dian)是(shi)全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管(guan)正極的連(lian)接(jie)點是全橋直流輸(shu)出端的“負極”,外(wai)用絕(jue)緣(yuan)朔料封裝而成。
LOW VF整流橋(qiao)產品是由四只低(di)壓降(jiang)整流硅芯片作橋式連接(jie),有四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直(zhi)流輸出端的“正極”,兩(liang)只二極管正極的連接點是全(quan)橋直流輸出(chu)端(duan)的“負(fu)極”,外(wai)用(yong)絕(jue)緣塑(su)封而(er)成(cheng)。LOW VF即是正(zheng)向壓降極低(di)的整(zheng)流橋。
逆變橋(qiao)是(shi)由四(si)顆快恢復二(er)極管(guan)整合一(yi)起,即將四(si)顆芯片封裝到一(yi)個(ge)支架上作橋(qiao)式連接,有四(si)個(ge)引出(chu)腳。兩只(zhi)二(er)極管(guan)負(fu)極的(de)連接點是(shi)直(zhi)(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩只(zhi)二(er)極管(guan)正(zheng)極的(de)連接點是(shi)直(zhi)(zhi)流輸(shu)出(chu)端(duan)(duan)的(de)“負(fu)極”,另兩個(ge)引腳是(shi)交流輸(shu)入(ru)端(duan)(duan),外用絕緣塑料(liao)封裝而成(cheng)。
一種集(ji)成(cheng)采樣功能的整流橋,即通過采集(ji)電(dian)路中的輸入(ru)電(dian)流,實(shi)現(xian)功率(lv)分配(pei)、電(dian)路保護(hu)。
開(kai)關橋(qiao)是(shi)由(you)四只高速開關二極管(guan)作(zuo)橋式連接,有四個引出(chu)(chu)腳。兩(liang)只二極(ji)管負極(ji)的連接點是全橋直流輸出(chu)(chu)端(duan)的“正(zheng)極”,兩只二極管正(zheng)極的連接點是(shi)全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
沃爾德(de)高壓(ya)肖特基二極管具有較低(di)的VF值和極低的反向漏(lou)電(dian)流Ir,體現出良好的低溫升特性。VRRM高達350V,電(dian)流從(cong)5A到40A全覆蓋(gai),能(neng)更(geng)好的滿足高(gao)壓輸出電源的高(gao)效率、高(gao)可靠(kao)性的需(xu)求。
沃爾德(de) LOW VF肖特基(ji)二極管采(cai)用先進(jin)的(de)Trench工藝,具(ju)有較低(di)的(de)VF值和極低(di)的(de)高(gao)溫漏(lou)電流,能(neng)更(geng)好的(de)滿足(zu)電源產(chan)品的高效率,高可靠性(xing)的需求。
沃爾德LOW Trr超快(kuai)恢復(fu)二極(ji)管具(ju)有極(ji)低的反向(xiang)恢復(fu)時(shi)間Trr和極低的反(fan)向恢復(fu)電荷Qrr,并具有超快(kuai)的(de)開關(guan)速度(du),應用(yong)于硬開關(guan)條件下的(de)PFC電路(lu)和高壓高頻電源的次(ci)級整流(liu)電路(lu)。
沃爾德(de)SGT MOS 具有(you)極低(di)的(de)(de)RDs(on) 、低(di)的(de)(de)Qg和Ciss ,并具有(you)開(kai)關速度快等特(te)點,能滿足產品溫升和效率的(de)(de)要(yao)求。
沃爾德Planar MOS 具有(you)低的RDs(on)和Ciss 并具(ju)有強的EAS性能(neng)(neng)等特(te)點,能(neng)(neng)滿(man)足產品高(gao)效和可(ke)靠的要求(qiu)。
沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開關速度(du)快并(bing)具有強的(de)EAS性(xing)(xing)能和(he)抗短路性(xing)(xing)能等特(te)點,能滿足產品高效和(he)可靠的要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多(duo)層外延工藝(yi),具有低RDS(on)、結電容小(xiao)、Qg 小(xiao),易驅動、開關(guan)速度快的特點,使電源更(geng)容易實現高(gao)效率,高(gao)可靠性。
沃爾德吸收二極管具(ju)有較(jiao)長的存(cun)儲(chu)時間和較小的Irr,同時具有較長(chang)的平緩反向恢復特(te)性,能平緩恢復電(dian)流(liu),應(ying)用于(yu)電(dian)源的RCD吸收電(dian)路,從(cong)而使電(dian)源產品達到(dao)更好的EMI特(te)性,滿足電(dian)源產品高(gao)效率、高(gao)可靠性的需求。
通過優化(hua)二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間(jian))較軟的(de)恢復特性(xing),大幅(fu)減少諧(xie)波振蕩的(de)發生,從而(er)減少或者減小(xiao)橋堆(dui)周邊EMI抑制器件的使用或者使用規格(ge),例如X電容,共模電感,差模電感等。