沃爾德的發展之路宛如勇攀珠峰,此刻不過初啟征途,前方仍有冰川橫亙、裂縫隱伏、冰壁陡峭,寒風凜冽,氧氣稀缺,然此等艱難險阻皆不能撼動沃爾德人磐石般的信念。憑借團隊的堅韌不拔與齊心協力,沐浴日月之輝,必能征服一路崎嶇,為推動全球半導體技術的進步貢獻磅礴力量,鐫刻屬于沃爾德的榮耀篇章。
整流橋產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”,兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣塑封而成。
肖(xiao)特基整流橋產品是由(you)4顆(ke)肖特(te)基(ji)硅二極管橋(qiao)式(shi)連接,有四個(ge)引出腳。兩只二極管負極的連(lian)接點是全橋直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二(er)極(ji)管正極(ji)的連接點是(shi)全橋直(zhi)流輸出端(duan)的“負極(ji)”,外用絕緣朔(shuo)料(liao)封(feng)裝而成。
LOW VF整(zheng)流橋產品是(shi)由(you)四只低(di)壓降整流硅芯片作橋式(shi)連接,有四個引出腳。兩只(zhi)二極管負(fu)極的(de)連接點是全橋直流輸(shu)出端(duan)的(de)“正極”,兩只二極管正極的連接(jie)點是全(quan)橋直流輸出端的“負極”,外用絕緣(yuan)塑封而成(cheng)。LOW VF即是(shi)正向壓降極低(di)的整流橋。
逆變橋是(shi)(shi)由四顆(ke)快恢復(fu)二(er)極管整合(he)一起,即將四顆(ke)芯(xin)片(pian)封(feng)裝(zhuang)到一個支架上作(zuo)橋式(shi)連(lian)接(jie),有四個引出腳。兩只二(er)極管負(fu)極的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直(zhi)流輸出端(duan)(duan)(duan)的(de)“正(zheng)極”,兩只二(er)極管正(zheng)極的(de)連(lian)接(jie)點是(shi)(shi)直(zhi)流輸出端(duan)(duan)(duan)的(de)“負(fu)極”,另(ling)兩個引腳是(shi)(shi)交流輸入端(duan)(duan)(duan),外用(yong)絕(jue)緣塑料封(feng)裝(zhuang)而成(cheng)。
一種集成采樣功(gong)能的整流橋,即通(tong)過采集電(dian)(dian)路(lu)中的輸入電(dian)(dian)流,實(shi)現功(gong)率(lv)分配(pei)、電(dian)(dian)路(lu)保護(hu)。
開關橋是由四只(zhi)高速開關二極管(guan)作(zuo)橋(qiao)式(shi)連(lian)接,有(you)四(si)個引出腳(jiao)。兩(liang)只二極管負極的連(lian)接(jie)點是全橋(qiao)直流輸出端的“正極(ji)”,兩只二極(ji)管正極(ji)的連接點是全橋直流(liu)輸出端的“負極(ji)”,外用絕緣塑封而成。
沃(wo)爾德高壓肖特基二極管(guan)具有(you)較低的VF值和極低(di)的(de)(de)(de)反向漏電流Ir,體(ti)現出良好(hao)的(de)(de)(de)低(di)溫升特性。VRRM高達350V,電流從5A到40A全覆蓋(gai),能更(geng)好(hao)的(de)(de)(de)滿足高壓輸出電源的(de)高效率、高可靠性的(de)需求。
沃爾德 LOW VF肖特基(ji)二極管采用先進的(de)(de)(de)Trench工藝,具有較低的(de)(de)(de)VF值(zhi)和極低的(de)(de)(de)高溫漏電流(liu),能更好的滿足電源產品(pin)的(de)高(gao)效率,高(gao)可(ke)靠性(xing)的(de)需求。
沃爾(er)德LOW Trr超快恢復二極管具有極低的反向恢復時間Trr和(he)極低的反向(xiang)恢復電荷(he)Qrr,并(bing)具有超快(kuai)的開(kai)關速(su)度,應用于硬開(kai)關條件下的PFC電(dian)(dian)路和高壓高頻電(dian)(dian)源的(de)次級整流電(dian)(dian)路。
沃爾德(de)SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有開關(guan)速度(du)快等特(te)點(dian),能滿足產品溫升和效(xiao)率的要求。
沃爾德Planar MOS 具有低(di)的RDs(on)和Ciss 并具有強的EAS性能(neng)等特點,能(neng)滿(man)足產品高效和可靠的要求(qiu)。
沃爾德(de)Trench MOS 具(ju)有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,開(kai)關速度快(kuai)并(bing)具有強的(de)EAS性能和抗短路性能等特點(dian),能滿足產品高效和可靠的(de)要(yao)求。
沃爾德SJ(超結)MOS采用多層外(wai)延工藝,具有低RDS(on)、結電容小、Qg 小,易驅動、開關速度快(kuai)的特點,使電源更容易實現高效率,高可靠性。
沃(wo)爾德吸收(shou)二(er)極(ji)管(guan)具(ju)有較(jiao)長的(de)(de)存儲時(shi)間和較小的(de)(de)Irr,同時具有較長的(de)平(ping)緩(huan)反(fan)向(xiang)恢復(fu)(fu)特(te)性,能(neng)平(ping)緩(huan)恢復(fu)(fu)電(dian)(dian)流,應用(yong)于電(dian)(dian)源(yuan)的(de)RCD吸收電(dian)(dian)路,從(cong)而使(shi)電(dian)(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)(pin)達到更好的(de)EMI特(te)性,滿(man)足電(dian)(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)(pin)高效率(lv)、高可靠性的(de)需求。
通過優化二極管Ta/Tb(開通時間/關斷時(shi)間)較軟的恢復特性,大幅減少諧波振蕩的發生(sheng),從而減少或者減小橋(qiao)堆周邊EMI抑(yi)制(zhi)器件的使用(yong)(yong)或者使用(yong)(yong)規格(ge),例如X電容,共模電感(gan),差模電感(gan)等。